教案squid磁敏传感器.ppt

* 这是由于在交变磁场作用下，元件与导体一样会在其内部产生涡流的缘故。图2.6-8所示为涡流的分布情况。由于元件电流极的短路作用，涡流可分解成上、下两部分，即大小相等而方向相反的电流流动（见图），该涡流的频率与外加磁场频率相同，相移为π/2。 图2.6-9 控制电流周围磁场引起的霍耳效应 图2.6-8 交变磁场作用下霍耳器件的涡流分布 涡流的存在会影响霍耳输出，这是因为：一方面涡流本身可感应出附加磁场作用于器件上（其频率与原磁场的相同，但相移为π/2），该磁场与控制电流作用产生一个附加的霍耳电势（与原霍耳电势同频，但相移π/2）；另一方面，如果器件被置于具有狭气隙的导磁材料中，由本身控制电流引起的感应磁场，也要对涡流产生霍耳作用（如图2.6-9所示），使涡流上、下两部分的霍耳效应互相增强，结果也产生一附加霍耳电势（其频率与原磁场相同，并叠加到总霍耳电势上）。由于上述电、磁相互作用，必然使总的霍耳电势增加。 * 霍耳开关集成传感器的原理及工作过程可简述如下：当有磁场作用在传感器上时，根据霍耳效应原理，霍耳元件输出霍耳电压VH，该电压经放大器放大后，送至施密特整形电路。当放大后的VH电压大于“开启”阈值时，施密特整形电路翻转，输出高电平，使半导体管V导通，且具有吸收电流的负载能力，这种状态我们称它为开状态。当磁场减弱时，霍耳元件输出的VH电压很小，经放大器放大后其值也小于施密特整形电路的“关闭”阈值，施密特整形器再次翻转，输出低电平，使半导体管V截止，这种状态我们称它为关状态。这样，一次磁场强度的变化，就使传感器完成了一次开关动作。。 * 霍耳开关集成传感器的工作特性曲线，反映了外加磁场与传感器输出电平的关系。当外加磁感应强度高于BOP时，输出电平由高变低，传感器处于开状态。当外加磁感应强度低于BRP时，输出电平由低变高，传感器处于关状态。 霍耳开关集成传感器是一种双稳态型传感器，又称为锁键型传感器。它的工作特性曲线如图2.6-12所示。当外加磁感应强度超过工作点时，其输出为导通状态。而在磁场撤消后，输出仍保持不变，必须施加反向磁场并使之超过释放点，才能使其关断。 * 图2.6-14是这种施加磁场方式的特性曲线。在磁铁的轴心方向垂直于传感器并同传感器轴心重合的条件下，随磁铁与传感器的间隔距离的增加，作用在传感器表面的磁感应强度衰减很快。当磁铁向传感器接近到一定位置时，传感器开关接通，而磁铁移开到一定距离时开关关断。应用时，如果磁铁已选定，则应按具体的应用场合，对作用距离作合适的选择。 * 图2.6-15给出了这种工作方式的特性曲线，即作用于传感器表面的磁感应强度B与磁铁轴线到传感器中心线距离的关系。 * 霍耳开关集成传感器的应用中，往往把提高激励传感器的磁感应强度当成一个重要问题去考虑。 * 值得 * 在实际的应用中，往往需要将磁铁和传感器固定，去测定运动件的转速或位移，或者计量零件的数量。在这种情况下可以使用翼片遮挡的方法。 * 霍耳磁敏传感器被放在待测磁场中，器件的控制电流由电池E供给，调节电位器W来控制电流保持不变，这时的霍耳输出就反映了磁场的大小。霍耳输出用电流表或电位差计指示。控制电流可藉直流电或交流电获得。用交流时，对于恒定磁场的霍耳输出亦为交流并便于放大同时温差电势的影响亦可略去不计。 倘使磁场方向不知道，用霍耳器件测量也很方便。若霍耳器件平面的垂线与磁场的方向线成角斜交，则器件的霍耳电势应为： * 使用锰游合金制成的集束器（棒长为200mm，直径为11mm，气隙为0.3mm），可将磁场增强400倍；如果使用InSb的霍耳器件，并将集束器放在液氮或液氦中，则可以测出低达10-13T的磁场。 * （1）磁敏二极管的结构 这种二级管的结构是P+—i—N+型。在本征导电的高纯度锗两端，用合金法制成P区和N区，并在本征区—i区的一个侧面上，设置高复合区（r区），而与r区相对的另一侧面，保持为光滑无复合表面。这就构成了磁敏二极管的管芯，其结构如图2.6-27所示。 * （1）磁敏二极管的结构 这种二级管的结构是P+—i—N+型。在本征导电的高纯度锗两端，用合金法制成P区和N区，并在本征区—i区的一个侧面上，设置高复合区（r区），而与r区相对的另一侧面，保持为光滑无复合表面。这就构成了磁敏二极管的管芯，其结构如图2.6-27所示。 * 由图可见；单个使用时，正向磁灵敏度大于反向磁灵敏度；互补使用时，正向特性曲线与反向特性曲线基本对称。磁场强度增加时，曲线有饱和趋势；但在弱磁场下，曲线有较好的线性。 * （2）磁敏三极管的工作原理 当不受磁场作用如图2.6-34(a)时，由于磁敏三极管的基区宽度大于载流子有效扩散长度，因而注入的载流子除少部分输人到集电极c外，大部分通过e—i—b而形成基极电流。显而易见，