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* * * * * * * * * * P+/P外延片 P型单晶片 * P-Sub * N阱 P-Sub * P-Sub N阱 * P-Sub * P-Sub * P-Sub P-Sub P-Sub * P-Sub P-Sub P-Sub * P-Sub P-Sub * P-Sub * P-Sub P-Sub * P-Sub * P-Sub * 在硅栅形成后，利用硅栅的遮蔽作用来形成MOS管的沟道区，使MOS管的沟道尺寸更精确，寄生电容更小。 P-Sub N-阱 * NMOS管和PMOS管的衬底电极都从上表面引出，由于P-Sub和N阱的参杂浓度都较低，为了避免整流接触，电极引出处必须有浓参杂区。 P-Sub N-阱 双阱CMOS工艺 双阱CMOS工艺主要步骤如下： （1）衬底准备：衬底氧化，生长Si3N4。 （2）光刻P阱，形成阱版，在P阱区腐蚀Si3N4，P阱注入。 （3）去光刻胶，P阱扩散并生长SiO2。 （4）腐蚀Si3N4，N阱注入并扩散。 （5）有源区衬底氧化，生长Si3N4，有源区光刻和腐蚀，形成有源区版。 （6）?N管场注入光刻，N管场注入。 * * （7）场区氧化，有源区Si3N4和SiO2腐蚀，栅 氧化，沟道掺杂（阈值电压调节注入）。 （8）多晶硅淀积、掺杂、光刻和腐蚀，形成 多晶硅版。 （9）?NMOS管光刻和注入硼，形成N+版。 （10）?PMOS管光刻和注入磷，形成P+版。 （11）硅片表面生长SiO2薄膜。 （12）接触孔光刻，接触孔腐蚀。 （13）淀积铝，反刻铝，形成铝连线。 谢谢大家！！！ * * * * * * * * * * * * 微电子中心 HMEC 集成电路设计原理 * 以金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管为主要元件构成的集成电路 。简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性，MOSIC得到迅速发展。 * 与双极型集成电路相比，MOSIC具有以下优点：①制造结构简单，隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。③MOS管为双向器件，设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高，宜用作数字集成电路；双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。 * 按晶体管的沟道导电类型，可分为P沟MOSIC、N沟MOSIC以及将P沟和N沟MOS晶体管结合成一个电路单元的互补MOSIC，分别称为PMOS 、NMOS和CMOS集成电路。随着工艺技术的发展，CMOS集成电路已成为集成电路的主流，工艺也日趋完善和复杂 ，由P阱或N阱CMOS发展到双阱CMOS工艺。80年代又出现了集双极型电路和互补金 属-氧化物-半导体（CMOS）电路优点的BiCMOS集成电路结构。按栅极材料可分为铅栅、硅栅、硅化物栅和难熔金属（如钼、钨）栅等MOSIC * P阱CMOS工艺以N型单晶硅为衬底，在其上制作P阱。NMOS管做在P阱内，PMOS管做在N型衬底上。P阱工艺包括用离子注入或扩散的方法在N型衬底中掺进浓度足以中和N型衬底并使其呈P型特性的P型杂质，以保证P沟道器件的正常特性。 * P阱杂质浓度的典型值要比N型衬底中的高5~10倍才能保证器件性能。然而P阱的过度掺杂会对N沟道晶体管产生有害的影响，如提高了背栅偏置的灵敏度，增加了源极和漏极对P阱的电容等。 * 电连接时，P阱接最负电位，N衬底接最正电位，通过反向偏置的PN结实现PMOS器件和NMOS器件之间的相互隔离。P阱CMOS芯片剖面示意图见下图。 * 这种结构的缺点是： （1）由于NPN晶体管的基区在P阱中，所以基 区的厚度太大，使得电流增益变小； （2）集电极的串联电阻很大，影响器件性能； （3）NPN管和PMOS管共衬底，使得NPN管只 能接固定电位，从而限制了NPN管的使用。 * 阱的定义:在衬底上形成的、掺杂类型与衬底相反的区域称为阱或称为盆. P阱CMOS原始衬底采用n型,注入p(浓度比N衬底高5~~10倍)型杂质形成P阱. P阱CMOS工艺适于制备静态逻辑电路. 光刻定义:是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术(是集成电路工艺中的关键性技术)(图形转移过程). * * * * * * * * * * * 微电子中心 HMEC 集成电路设计原理 * * * * * * * * * * * * * * * * *