2015《电子技术基础》月考试卷.docVIP

衢州中等专业学校 2014-2015学年度第二学期月考试卷 科目：《电子技术基础》 年级专业：14电子大专 姓名： 学 号： 专业班级： （考试说明：卷面考试，闭卷，考试时间为90分钟） 成绩登记表 题号 一 二 三 四 总分 得分 一、填空题（共25格；每格1分；共25分） 1．半导体是一种导电能力介于 和 间的物体。 2．在PN结两端加上电压，称给PN结 。如果使P区接电源的 ， N区接电源 ，称为正向偏置，简称正偏。反之称为反向偏置，简称反偏。 3．PN结正向偏置时 ，反向偏置时 。这种特性称为PN结的 。二极管接 偏置电压，相当于开关闭合；而接 偏置电压，相当于开关断开。 4．二极管按材料分有 二极管和 二极管； 按结构可分为 型、 型和 型。 5．硅二极管导通时正向电压降为 V，死区电压为 V；锗二极管导通时的正向电压降为 V，死区电压为 V。 6．硅稳压二极管正向工作在 区，在此区内，当流过硅稳压管的电流在较大范围的变化时，硅稳压二极管两端的电压 。 7．将 变换为 的过程称为整流。 8． 二极管2CZ12A是 材料的 二极管。 二、是非题（共8小题；每小题2分；共16分） 1. 半导体的导电能力随外界温度，光照或渗入杂质的不同而显著变化。（ ） 2. 把二极管的阳极直接到1.5V理想电压源的正极，把阴极接到负极是安全的。（ ） 3. 二极管的死区是正向电压变化比较大时，相应的正向电流变化都很小。（ ） 4. N型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。（ ） 5. 光敏二极管工作在反向击穿状态。（ ） 6. 电源变压器的作用是为了改变电压等级和把整流设备与电网隔离。（ ） 7. 稳压二极管的正向特性不可以用于稳压。（ ） 8. 用万用表检查二极管的好坏，正反各测两次，当两次测量为如下两次偏转都很大状态时，二极管为坏的。（ ） 三、选择题（共16小题；每格2分；共32分） 1.工作在放大区的某晶体管，当IB从20μA增大至40μA时，IC从1mA变为2mA，则它的β值约为______。 (a)10 (b)50 (c)100 2.测得晶体管IB=30μA时，IC=2.4mA，IB=40μA时IC=3mA，则交流放大系数为______。 (a)80 (b)60 (c)70 (d)100 3.某晶体管的发射极电流为1mA，基极电流为20μA，则它的集电极电流等于______mA。 (a)0.98 (b)1.02 (c)0.8 (d)1.2 4. PNP型三极管工作在放大区时，三个极的电位特征是______。 (a)UC UB UE (b)UC UB UE (c)UE UB UC 5.当电路中三极管各极电位如图示，三极管工作在______状态。 (a)饱和 (b)放大 (c)截止 6.电路如下图示，VD1和VD2为理想二极管，R=6kΩ，E1=4V，E2=10V，VD1和VD2的状态分别为______。 (a)VD1，VD2均截止 (b)VD1，VD2均导通 (c)VD1截止，VD2导通 (d)VD1导通，VD2截止 7.如上图所示电路， VD1和VD2为理想二极管，图中VD1，VD2的状态为______。 (a)VD1，VD2导通 (b)VD1导通，VD2截止 (c)VD1导通，VD2截止 8.如下图所示电路， VD1和VD2为理想二极管，图中VD1，VD2的输出U0为______。 (a) U0=4V (b) U0=10V (c) U0=1V 9.上图给出了锗二极管和硅二极管的伏安特性，锗管的特性曲线是______。 (a)由a和c组成 (b)由a和d组成 (c)由b和c组成 (d)由c和d组成 10.如下图所示几条曲线中，表示理想二极管正向伏安特性的是______。 11.如下图所示电路，