第5章 非平衡载流子-zhaowr-2010.ppt

* 物理与光电工程学院 稳态扩散方程的通解为： 其中 （1）样品足够厚 边界条件： 讨论： 称为扩散长度 * 物理与光电工程学院 此时扩散流密度： 显然, 若x处空穴的扩散速度为vp, 则扩散流密度可表示为： * 物理与光电工程学院 表面的空穴扩散流密度： 对比前式,空穴的扩散速度为： * 物理与光电工程学院 非平衡少数载流子在边扩散边复合的过程中，其浓度减少到原值的1/e时扩散走过的距离。也表示非平衡载流子深入半导体的平均深度. 扩散长度的意义: 在复合前非平衡载流子透入半导体的平均深度： * 物理与光电工程学院 扩散长度由扩散系数和材料的寿命所决定. 通常材料的扩散系数已有标准数据,因此扩散长度作为寿命测量的方法之一. * 物理与光电工程学院 （2）样品厚度为W, 并且在另一端设法使非平衡载流子浓度保持为零 边界条件： * 物理与光电工程学院 * 物理与光电工程学院 结论: 如果样品厚度远小扩散长度,则在稳态扩散的情况下,非平衡载流子浓度在样品内呈线性分布。 当 上式可以简化为: * 物理与光电工程学院 显然,浓度梯度和扩散流密度均为常数. 此时浓度梯度为: 扩散流密度: 在晶体管中, 基区宽度一般比扩散长度小得多, 从发射区注入到基区的载流子分布近似符合上述情形. * 物理与光电工程学院 同理，电子的扩散流密度和稳态扩散方程分别为: * 物理与光电工程学院 扩散电流密度: 电子和空穴都带电载流子, 它们扩散会产生电流,即扩散电流,扩散电流密度为: * 物理与光电工程学院 扩散流密度为: 扩散流密度散度的负值就是单位体积内空穴的积累率: 在稳定情况下,它应等于单位时间在单位体积内由于复合而消失的空穴数,因此: 2、 三维稳定扩散 * 物理与光电工程学院 ----- 三维稳态扩散方程 电子和空穴的扩散电流密度分别为: * 物理与光电工程学院 作业: P179 14,15 * 物理与光电工程学院 3、 探针注入扩散* 探针注入 设想探针针尖陷入半导体表面形成半径为r0的半球. 这种情况下，非平衡载流子浓度?p只是径向距离r的函数，是一种个有球对称的情况。 * 物理与光电工程学院 在球坐标下，三维稳态扩散方程变为： 令 则有： 随r衰减的解为： * 物理与光电工程学院 如果注入的边界的非平衡载流子浓度已知，即设： 则： 所以 在边界处，沿径向的扩散流密度在数值上等于： * 物理与光电工程学院 与一维情形的结果 相比，多了一项，表明这里的扩散效率要比平面情况高，原因是与平面运动相比, 径向运动本身引起载流子的浓度梯度，增加了扩散效率。特别是当r0Lp时，几何形状所引起的扩散的效果是十分显著的，远超过复合所引起的扩散(第二项)。 * 物理与光电工程学院 5.6 载流子既漂移又扩散的运动及爱因斯坦关系 * 物理与光电工程学院 1.载流子既漂移又扩散时的电流(一维情形) * 物理与光电工程学院 迁移率反映载流子在外电场作用下运动的难易程度 扩散系数反映载流子在有浓度梯度时运动的难易程度 两者的关系? * 物理与光电工程学院 2. 爱因斯坦关系的推导 考虑处于平衡态下的非均匀掺杂的n型半导体(一维)，则杂质浓度都是x 函数，可写为 和 浓度梯度的存在必然产生载流子的扩散，形成扩散电流，则有： * 物理与光电工程学院 电离杂质不能移动,而载流子的扩散有使载流子趋于均匀分布的趋势,结果导致半导体内部不再处处电中性,从而出现静电场E.静电场又引起载流子的漂移,漂移电流为: * 物理与光电工程学院 在平衡条件下不存在宏观电流，静电场的建立总是反抗扩散进行，平衡时电子的总电流和空穴的总电流分别为零，即: 对电子有： 又 (1) (2) * 物理与光电工程学院 由于V(x)存在，当考虑电子能量时，须计入附加的静电势，因而导带底的能量应写成 这样，在非简并条件下，电子浓度为： * 物理与光电工程学院 两边微分得： (2)(3)代入(1)得: 同理对于空穴也有: 爱因斯坦关系式 (3) * 物理与光电工程学院 利用爱因斯坦关系，可得半导体中总电流密度为 * 物理与光电工程学院 对于非均匀半导体，上式可改写为 ---半导体中同时存在扩散和漂移运动时的总电流密度表示式 * 物理与光电工程学院 作业：P179 16 * 物理与光电工程学院 令 代入 得: 利用 有效复合中心： * 物理与光电工程学院 对一般的复合中心, 近似取: 则 * 物理与光电工程学院 * 物理与光电工程学院 4、表面复合 表面越粗糙,载流子寿命越短. 机理: 表面越粗糙,表面包含的杂质或缺陷越多, 它们在禁带中形成复合中心能级(表面电子能级), 促进间接复合. 考虑到表面复合后的总复合几率： 设?V、?S分别为体内复合的寿命和表面复合的寿命 实验现象: