第六章 半导体二极管和晶体管.ppt

§1 半导体基础知识 §2 PN结原理 §3 二极管√ §4 特殊二极管√ §5 晶体管 ;§1-1 半导体基础知识; 当半导体受到光照时，导电能力大幅度增强，制成的光敏二极管可以用于光敏控制。;3.半导体的掺杂性 (Doping impuritive);三.本征半导体( Intrinsic Semiconductors ); 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子与其相临的原子之间形成共价键，共用一对价电子。;3. 本征半导体的导电机理;本征激发——电子空穴对的产生;4.本征半导体中的载流子浓度(carriers concentration) ; 四.杂质半导体(impurity semiconductor);1. N型半导体 ( N - type Semiconductors ); 在N型半导体中自由电子是多数载流子( 多子 )，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子( 少子 ), 由热激发形成。;2. P型半导体( P - Semiconductors );杂质半导体的示意表示法;载流子运动产生电流，存在两种运动方式：; 本征半导体、杂质半导体、施主杂质、受主杂质；;§1.2 PN结原理; 1.2.1 PN 结的形成;浓度差?多子的扩散运动 ? 杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内建电场 ? 内电场促使少子漂移，阻止多子扩散; 1.2.2 PN结的单向导电性; (2) PN结加反向电压时; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。; (3) PN结方程; PN结方程的讨论;例：已知室温(T=300K)下，硅PN结外加正偏VD为0.7V,正向电流ID为1mA,求反向饱和电流IS 。; 1.2.3 PN结的反向击穿(PN junction breakdown) ; **1.2.4 PN结的电容效应;(2) 扩散电容CD;PN结电容Cj 是一种非线性电容;P; 1.3.1 二极管的结构;面接触型;半导体二极管图片之一;半导体二极管图片之二;sn:020736-428526-011875-6507 ; 1.3.2 二极管的伏安特性; 1.3.3 二极管的主要参数;§1.3.4 二极管模型;第六章作业： 6－1 ； 6－2 ； 6－3 ； 6－4 。; 一. 理想开关模型; 二. 恒压降模型;**三. 折线模型;D;例1，(填空题)如图所示电路中，D1～D3为理想二极管， A、B、C白炽灯泡功率相同，其中最亮的灯是 ___ 。 ;例2.图示电路中 设D导通时正向压降为 0.7V，求流过 二极管中的电流 ID 。;例3.图示电路中 设D导通时正向压降为 0.7V，求流过二极管 中的电流 ID 。;+;1、半波整流电路;输出电压直流分量为UO ：;*2.全波整流电路;+;输入电压为正半周时，D1D3导通， D2D4截止。;输出电压 u0的直流分量：;u1;1、二极管单向限幅器 （设D为理想二极管）;4;1）当;t; 利用二极管的单项导电性，相当于一个受外加电压极性控制的开关。;例1．试判断图中二极管是导通还是截止？并求出AO两端电压VAO 。设二极管为理想的。;2、或门电路;1.3.6. 稳压二极管及其应用;2、稳压二极管的伏安特性曲线：;1）稳定电压VZ ;4）最大允许耗散功率PZM;二. 典型稳压管稳压电路;①当IZmin＝0 , 且RL开路;例1.图示电路中设R1 = RL = 500Ω , DZ 的击穿电压VZ = 6V ; ;*例2. 设VZ =5V；PZM =1/4W；R =1K?。;解：B) 正常稳压时IZ ＞0 , 必须满足;*例3, 设DZ的参数为：VZ= 9V;IZMIN=2mA; ZMAX=250mW; RL= 1K?; 输入电压的变化范 围为 Vi =12V～15V ; ; 当Vi值为最高而RL开路时IZ 值最大;稳压二极管的串并联等效;;; 晶体管三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。