第十讲 结型场效应管.pptVIP

5.3 结型场效应管 * 结型场效应管的结构 结型场效应管的工作原理 结型场效应管的特性曲线及参数 1、结型场效应管（JFET)结构 P+ P+ N G S D 导电沟道 结型场效应管 动画一 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 当沟道夹断时,ID减小至0，此时对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP ( 或VGS(off) )。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄 ? ? VGS继续减小，沟道继续变窄， ID继续变小 D P+ P+ N G S VDS ID VGS 当VGS=0时，沟道最宽，沟道电阻最小，在VDS的作用下N沟道内的电子定向运动形成漏极电流ID,此时最大。 ? 沟道电阻变大 ? ID变小 2、结型场效应管（JFET)的工作原理 根据其结构，它只能工作在反偏条件下，N沟道管加负栅源电压， P沟道管加正栅源电压，否则将会出现栅流。 动画二 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， VDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时VDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 ? 2、结型场效应管（JFET)的工作原理 D P+ P+ N G S VDS ID VGS ③VGS和VDS同时作用时 当VP VGS0 时， 导电沟道更容易夹断， 对于同样的VDS ， ID的值比VGS=0时的值要小。 在预夹断处 VGD=VGS-VDS =VP 2、结型场效应管（JFET)的工作原理 D P+ P+ N G S VDS ID VGS 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小。 # JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ (2) 转移特性 VP (1) 输出特性 3、结型场效应管（JFET)的特性曲线及参数 动画三 动画四 ① 夹断电压VP (或VGS(off))： ② 饱和漏极电流IDSS： ③ 低频跨导gm： 或 漏极电流约为零时的VGS值 。 VGS=0时对应的漏极电流。 低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。 ④ 输出电阻rd： (3) 主要参数 ⑤ 直流输入电阻RGS： 对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω。 ⑧ 最大漏极功耗PDM ⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ⑦ 最大栅源电压V(BR)GS