第3讲 三极管.pptVIP

* 第三节 半导体三极管 1.3.1、三极管的结构 三极管分PNP型和NPN型。常见的有平面型(Si管)和合金型(Ge管)两类。 如图所示为NPN型三极管示意图。 C N N P 发射区 基区 集电区 发射结 集电结 E B N N P 三个区——基区、发射区、集电区 三个电极——基极（B）、发射极（E）、集电极（C） 两个PN结——发射结、集电结 可知晶体管有： NPN型三极管的结构及符号如图 　　制作三极管时，通常使三极管内部有如下特点： 1）基区薄而掺杂少。 2）发射区掺杂浓度比集电区高，并远大于基区浓度。 3）集电结面积比发射结大。 NPN型三极管结构及符号 E C B B E C N N P （箭头代表发射结正向接法时的电流方向） 1.3.2 三极管的电流分配和放大作用 （一般放大——能量守恒： 放大镜、变压器） 一、放大的概念 1、既能放大电流，又能放大电压。即经过放大后的能量（功率）要比没有放大前的能量（功率）大。也就是：输入端的能量小，输出端的能量大； 2、需要放大的对象是变化量； 3、能量应守恒，由电源补充。 二、三极管中载流子的运动和电流分配 三极管中载流子的运动情况如图 1、发射区向基区发射电子（扩散电子） UBUE,发射结正偏，扩散漂移 即： 发射区的自由电子 基区， 并不断从电源补充电子 基区的空穴 发射区 扩散 扩散 形成发射极电流IE，但由于空穴浓度发射区电子浓度，所以空穴电流可以忽略。 N P N RB EB Ec C B E IB Ic IE ICBO RC 2、由于浓度差，电子继续向集电结方向扩散 3、电子被集电极收集的情况 集电结反偏，内电场增强，一方面阻止集电区电子向基区扩散，另一方面把发射区扩散来的电子收集到集电区，形成集电极电流IC 。 在扩散过程中与基区空穴相遇而复合，基区电源补充空穴，形成基极电流IB 。 基区掺杂少，宽度窄，所以复合机会大大减少，因此IB很小。 根据以上分析可知： 1、IE=IC+IB ——这就是三极管的电流分配规律 2、三极管中既有电子的流动，也有空穴的流动，即有两种载流子的运动，所以常称为双极型三极管，简称三极管。 三、电流放大作用 IC IB = ? 由于基区很薄，空穴浓度又低(掺杂少），所以发射区扩散来的电子大部分流向集电极形成IC，只有很小一部分流向基极形成IB。管子作成后， IC和IB的比例就保持一定， IC= IB ， IB 可控制IC，这就是三极管的电流放大作用。 ? 直流放大系数 Δ IC Δ IB ? = 交流放大系数 从电压关系上看，b、e间加的是正向电压，UBE只要有少量变化，IB就有较大变化，通过三极管的电流放大作用IC变化更大，通过RC产生的电压变化，比UBE的变化大很多倍，三极管的电流放大作用就转化为电压放大作用。 电压放大倍数 Au= ?UCE ?UBE 1.3.3 三极管的特性曲线 三极管的特性曲线是用来表示该晶体管各极电压和电流之间关系的，它反映出晶体管的性能，是分析放大电路的重要依据。从使用的角度看，经常遇到的是三极管的特性曲线，很少涉及它的内部结构。其中最常用的是共射接法时的输入特性和输出特性。它可以用晶体管特性图示仪直观地表示出来，也可以用如图电路（见下页）进行测试。 N P N RB EB Ec C B E RC 一、输入特性曲线 是指当UCE为常数时，加在基极和发射极之间的电压UBE与由它所产生的基极电流IB之间的关系。即： IB(μA) UBE(V) UCE1V 80 40 0 0.4 0.8 0 0.4 0.8 UCE=0V 1、UCE=0V，c、e短路，相当于两个二极管并联的伏安特性； 2、当UCE1V时，集电结已反偏，收集电子能力增强，基区电子绝大部分形成IC，因此IB减小，曲线右移。 UCE1V后的输入特性基本重合。 输入特性曲线如图： 是指当基极电流IB为常数时，三极管集电极与发射极之间的电压UCE与集电极电流IC的关系。即： 二、输出特性曲线： 输出特性曲线如图所示： UCE(V) 100 uA 80uA 60uA 40uA 20uA IB=0 4 3 2 1 0 Ic(mA) 3 6 9 12 截止区 饱和区 放 大 区 安全工作区 不同的IB值可得到不同的曲线，因此