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一种高精度CMOS带隙基准和过温保护电路 口徐义强刘 诺 涂才根 (电子科技大学微电子与固体电子学院 四川·成都610054) 摘要：在分析标准的CMOS带隙基准原理的基础上，设计了高精度、高电源抑制比的CMOS带隙基准电压发 生器。其特点是采用内部电压减小电源噪声的影响；通过两个串联的二极管提高厶‰，减小运放失调的影响。该 0．35um 电路基于CSMC DPTM工艺，使用Spectre仿真该电路得到结果为，常温下输出电压为1．23V， 关键词：带隙基准温度补偿 电源抑制比 正温度系数电流 中图分类号：TN7 文献标识码：A 文章编号：1007．3973(2010)03．070．02 l引言 上的电流相等。Q2的发射极面积为Ql的n倍，则由双极型 ，傥￡年来，随着CMOS工艺技术的进步，模拟集成电路设计晶体管的电流公式： 技术得到了飞速发展。现在受到学术界和工业界广泛关注的 I=Is×exp(VBE／V,) (2) On 系统芯片集成(systemchip)、数模混合电路、模拟集成电路 得： 等对芯片内集成的基准电压源的要求比以往更高。在诸多电 V矗l=巧×ha(11lsI) (3) 压基准源中，带隙式基准源的应用最为广泛。而在功放等集 V晶2=巧×ha(i／帆1) (4) 成电路中由于功率较大，系统的温度变化也较大，因此过温保 电阻Rl上的电压降为： 护电路也必不可少。本文设计了带自启动和过温保护电路的 vBEl-V矗2=巧xin(n) (5) 带隙式基准电路，并使用了负反馈的方法使输出基准电路与 这样： 电源电压基本无关，从而提高了电源抑制比。 (6) 2带隙基准原理 v腰=‰+．(RIR+1R2)x巧×ha(n) 适当调整Rl，R2，R3的电阻比例可以得到在室温时温度 带隙基准是一种几乎不依赖温度和电源的基准技术，一 系数为0的输出电压Vref． 般的带隙基准在0--70。C温度范围内有10ppm／。C的温度系数， 图l所示的是带隙基准源的原理示意图。pn结二极管的电压 降为VBE，其温度系数在室温时大约为．2．2mV／K．而热电压 Vt(Vr=kT／q)在室温时的温度系数为+o．085mV／K，将VT电压 乘以常数K并和VBE电压相加可得输出电压为： V玉=vBE+KVr (1) 将式(1)对温度微分并代入Vn和V一的温度系数就可求得 K，它可以使得V一的温度系数在室温时理论上为0。由于V BE受电源电压变化的影响很小，带隙基准源受电源的影响也很 小。本文中T定为温度参数，单位为K。 VDD 图2传统带隙基准原理图 4减小失调电压的影晌 由于输入MOS管的非对称性，运算放大器存在有输入失 调电压，也就是当运放的输入电压为零时，其输出电压不为零。 当运放的输入电压为Vos时，我们可以得到基准电压的输出如 ×Ⅵ (7)式所示：