氧化铝陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究 zone melting recrystallization of silicon thine film on aluminium oxide ceramic substrate.pdfVIP

第26卷第5期 太阳能学报 vol26．No．5 20。5年lO月 ACIAⅡ咂蕊IAEs()LA砌SslNICA 0cI．．2005 氧化铝陶瓷衬底多晶硅薄膜区熔再结晶的研究 顾亚华1，许颖2，叶小琴1，李海峰3，万之坚3，周宏余1 摘要：采用简化的区熔再结晶工艺，即区熔过程中不采用隔离层和盖帽层结构，直接在陶瓷村底上制备出高 质量的多晶硅薄膜。实验中给出了用x射线衍射方法得到的晶向图谱和光学显微镜、扫描电子显微镜方法得到 的表面形貌，并采用扩散法和正面引电极的方法初步探索r电池的制备工艺，电池的开路电压达到196mv，短 路电流为200止。 关键词：陶瓷；薄膜；砌cvD；区熔再结晶；晶向 中图分类号：哪14．4+2 文献标识码：A 本文中，我们分析了区熔前后硅膜的一些性能， O引言 并用正面引电极方法制作了电池。 制作较低成本、较高效率的基于陶瓷衬底的多 1实验 晶硅薄膜太阳电池，是目前太阳电池_[作者研究的 重点之一。德国Fmunhofer研究所石墨衬底上制备实验中采用A12q陶瓷衬底，按两种不同的方 的多晶硅薄膜电池获得了11％的转换效率“。，同时 法沉积薄膜，区熔再结晶。样品参数见表格1。样 在SjN衬底上获得了9．4％的效率”o，在SjSjc衬底 品A按照传统陶瓷衬底薄膜的制作方法，先用 上获得了9．3％的效率。3 J。另外，在奠来石衬底上 制备的多晶硅薄膜电池也获得了8．2％的转换效 法在衬底上沉积较薄的籽晶层，最后用电子束蒸发 率”1。这些都是陶瓷类衬底多晶硅薄膜太阳电池方 制备二氧化硅盖帽层。该方法步骤多，比较复杂。 面的显著成果。这些电池制作采用了类似的结 对于样品B，我们直接在上面沉积一层厚籽晶层。 构”“o，沉积阻挡层隔离衬底和活性层，避免衬底杂 对两种样品进行区熔再结晶。 质对硅膜的污染。用R11CvD方法沉积P十型活性籽 表1实验样品结构 T蝴e1s∞chⅡe0fⅡle 晶层，在zMR过程中熔化并重新结晶，获得好的晶 sⅢlple8 体质量并得到了大的晶粒尺寸。同时，为了防止在 区熔过程中表面起泡，采用盖帽层结构。 G．‰，朋me等人的研究”o表明，陶瓷衬底只释 放出极少量的杂质，使得阻挡层的作用不是很明显。 zMR实验装置示意图如图1所示。一只线性 我们的实验采用前人的区熔再结晶过程，并采用较 汞灯放置在椭圆镀银反射腔内的上方焦线上，样品 厚的P+籽晶层，使少量释放的杂质不能透过该背 放置在椭圆反射腔内下方焦线上，同时配有石英腔 场。同时，增加了籽晶层厚度，使得高温区熔过程中 内保护和石英支架支撑样品。9只线性汞灯放置在 表面不易起泡。这样就免去了沉积阻挡层和盖帽 石英腔下方加热样品。。放置样品的石英腔通氩气， 层，大大简化了工艺步骤，利于陶瓷衬底薄膜太阳电 作为保护气体。 池制作向产业化方向发展。 、 收稿日期：2004—∞_ol 基金项目：国家自然科学基金项目；北京市自然科 学基金重点项目(2021010) 万方数据万方数据 61