硅纳米线阵列太阳电池的性能分析 analysis of the performance of silicon nanowire array solar cells.pdfVIP

第3l卷第1期 太阳能学报 V01．31．No．1 2010年1月 ACTAENERGIAESOLARISSINICA Jan．。20lO 硅纳米线阵列太阳电池的性能分析 方 慧1’2，彭奎庆1’2，吴茵1’2，宋 爽3，许 颖3，朱 静1’2 (1．国家电子显微镜中心(北京)，北京100084；2．清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室，北京100084； 3．北京市太阳能研究所，北京100083) 摘要：采用金属催化腐蚀法分别在(100)和(111)硅片表面制备出大面积垂直排列和倾斜排列的单晶硅纳米线阵 列，垂直阵列在300。1000hm波段的平均反射率约为2．5％，倾斜阵列在该波段的平均反射率约为5％。基于垂直 阵列和倾斜阵列制作的硅纳米线阵列太阳电池的最高转换效率分别为9．31％和11．37％。倾斜阵列电池的串联电 阻比垂直阵列电池有所减小，使电池填充因子增大，性能有所提升。载流子复合是硅纳米线阵列太阳电池中电学 损失的主导，使电池性能明显低于常规单晶硅电池。 关键词：硅纳米线阵列；太阳电池；双二极管模型；少数载流子寿命 文献标识码：A 中图分类号：0472；TK514 0引言 1实验 从p-n结的物理本质出发提高电池的效率，例 1．1硅纳米线阵列的制备 如提高载流子寿命、衬底掺杂浓度和扩散层掺杂浓 制备垂直排列的硅纳米线阵列是采用“湿法金 度的最佳化等(如背电场电池)；或是改进和提高电 属沉积+湿法催化腐蚀”(简称为全湿法)的金属催 池的光学性能，包括光的传输、光的吸收及反射和光 化腐蚀方法[4“’12’1引，而制备倾斜排列的硅纳米线阵 谱响应(如制备各种减反射膜或者使硅表面织构化 列是采用“干法金属沉积+湿法催化腐蚀”(简称为 等)，这两种方法均可提高太阳电池效率¨。]。 干湿结合法)的金属催化腐蚀方法[9卅¨。这两种方 本研究组采用金属催化腐蚀方法分别在(100) 法的反应原理基本相同，只是金属颗粒的沉积方式 和(111)硅片表面制备出大面积垂直排列和倾斜排 不同，此外制备垂直阵列采用(100)硅片，制备倾斜 列的单晶硅纳米线阵列[4卅3I，这些阵列具有非常优 阵列采用(111)硅片。下面以干湿结合法为例说明 异的减反射性能，利用这些硅纳米线阵列设计和制 倾斜排列硅纳米线阵列的制备过程。 作了新型硅纳米线阵列太阳电池ohl3j，其中垂直阵 采用干湿结合法制备倾斜排列的硅纳米线阵 列太阳电池的最高转换效率为9．3l％，倾斜阵列太 列，其制备流程为11：①将P型的(111)硅片(电阻率 阳电池的最高转换效率为11．37％。本文将两种新 型硅纳米线阵列太阳电池与常规单晶硅电池进行了 中超声清洗10rain以除去表面的有机物杂质，用去 详细对比，利用双二极管模型提取太阳电池有关参 数，分析表明倾斜阵列电池的串联电阻比垂直阵列 H202体积比为3：1)加热，煮沸1h，以除去硅片表面 电池小，增大了电池的填充因子，电池性能有所提 的金属杂质，之后用去离子水洗净并浸入浓度为 升；但少数载流子寿命的测量结果表明载流子复合 1％的I-IF溶液中lmin；③在洗净的硅片表面真空