硅烷偶联剂稳定化处理的多孔硅pb3o4的反应性能 reactive performances of porous siliconpb3o4 stabilized by silane coupling agents.pdfVIP

王守旭，沈瑞琪，叶迎华，胡艳 文章编号：1006—9941(2012)04加400—06 硅烷偶联剂稳定化处理的多孔硅／eb。04的反应性能 王守旭，沈瑞琪，叶迎华，胡 艳 (南京理工大学化工学院，江苏南京210094) 摘要：为了将多孔硅应用于新型含能材料，研究了经硅烷偶联剂稳定化处理的多孔硅／Pb。0．的反应性能。用电化学腐蚀法制 烷偶联剂KH550、KH560和KH570可使多孔硅在空气中的稳定性提高。 关键词：应用化学；多孔硅；硅烷偶联剂；稳定化；反应性能 中图分类号：TJ45；Q69 文献标识码：A DOI：1 2．04．004 3所‘2叫和重 理研究院‘16-17】、南京理工大学‘18“91兵器21 1 引 言 庆大学¨¨等单位对多孔硅的制备以及其在含能材料方面 的应用进行了研究，其中南京理工大学的研究表明，新制 多孔硅是20世纪50年代由美国贝尔实验室首先发 备的多孔硅表面化学性质极为活泼，在空气中存放时容 现的…。由于多孔硅不同于块体硅材料的独特性质，它 易被氧化从而降低多孑L硅的反应活性，而当多孔硅在空 在过去的几十年里得到了广泛的研究。由于多孔硅容易 气中的存储时间达到两周时，多孔硅在4A的激发电流 氧化和氧化硅固有的优良的绝缘性能，多孑L硅在20世纪 下也不能与Pb，o。反应¨“。因此，南京理工大学化工 70年代就作为SOl(Silicon．On—Insulator)结构¨1在大规 模集成电路和超大规模集成电路领域中得到了广泛应 学院¨驯利用硅烷偶联剂对多孔硅进行稳定化处理并达 到了预期的目标。在此基础上，本工作将重点研究硅烷 用。1990年，英国的L．T．Canham日。发现了多孔硅的 光致发光现象，引起了多孔硅研究的新热潮。随后，美国 偶联剂稳定化处理对多孔硅／Pb，o。反应性能的影响。 学者P．McCord等在1992年发现的浓硝酸与多孔硅的 2 实 验 爆炸现象H1开创了多孔硅在新型纳米含能材料领域的应 用。此后，1996年G．J．Fan等¨1发现了Si／PbO系统的2．1 多孔硅的制备 反应；2001年D．Kovalev等怕1报道了多孔硅与液氧在 采用电化学双槽腐蚀法制备多孔硅，所用硅片为B du 低温下的爆炸反应；2008年MonukoPlessis等。7。报 道了分别添加Gd(NO，)，、NaCIO。·H：o和s的多孔硅 电阻率0．1～0．3Q·cm～；采用Pt平板电极，电极尺寸 的爆炸反应；俄罗斯科学家S．K．Lazaruk等旧1研究了填50mmx50mmX0．2 充KNO，的多孔硅的热爆炸现象。国外研究多孔硅制备 的装置见图1¨“。 新型含能材料的还有D．C16ment等一。1“。中国工程物制备多孔硅膜的工艺条件：腐蚀液是由氢氟酸 2-07 收稿日期：2011-08-25；修回日期：2011．1 作者简介：王守旭(1982一)，男，博士研究生，主要从事纳米含能材料的制体积比配制，腐蚀电流密度85mA·cm～，反应时间