化学蒸气沉积法简介.PDF

化學蒸氣沉積法簡介 編著：蘇 漢 儒 化學蒸氣沉積法簡介 化學蒸氣沉積製程係藉由熱反 應( Thermal reaction ) 或熱分解 ( Thermal decomposition ) 氣體 的化合物 ，在晶片表面形成一 層穩定的化合物。 譬如生長磊晶屬化學蒸氣沉積的 一種化合物。 2 化學蒸氣沉積設備簡介 化學蒸氣沉積設備的基本單元： 1. 反應室(Reaction chamber) 。 2. 氣體控制單元(Gas control section) 。 3. 時間與程序控制單元。 4. 晶片加熱器(Heat source) 。 5. 廢氣處理單元(Effluent handling) 。 3 化學蒸氣沉積設備簡介 反應室的種類(Reaction chamber) ： 1. 水平式化學蒸氣沉積反應室。 2. 垂直式化學蒸氣沉積反應室。 3. 圓柱式化學蒸氣沉積反應室。 4. 氣瀑( 下吹) 式化學蒸氣沉積 反應室。 4 化學蒸氣沉積設備簡介 氣體控制單元： 控制流入化學蒸氣沉積反應室內 部氣體之流量。 時間與程序控制單元： 控制化學蒸氣沉積反應製程之時 間及順序。 5 化學蒸氣沉積設備簡介 晶片加熱器： 兩種加熱器系統。 (1)冷牆式( Cold wall system )使 用射頻(RF)或紫外線燈泡(UV) 作為加熱器之能源，射頻能量 經由射頻線圈偶合至晶片容器 紫外線燈泡產生幅射狀熱能。 6 化學蒸氣沉積設備簡介 晶片加熱器：( 續) (2)熱牆式( Hot wall system )使用 熱電阻絲之加熱器，與擴散爐 相似。 熱牆式加熱器系統之沉積速率 比冷牆式加熱器系統快速。 7 化學蒸氣沉積設備簡介 廢氣排出單元： 製程中殘餘之反應氣體( 磷、砷 、硼)及載子氣體( 氫、氮) 必須 排放到室外大氣，這些氣體必須 經過降溫及過濾等處理程序使其 成為無害之氣體 ，才排放到室外 大氣。 8 化學蒸氣沉積材料簡介 多(複)晶矽(Polycrystalline silicon) 沉積物可作半導體元件之導電層 兩種方法沉積多(複)晶矽 ： 1. S iH4 + 熱能 ⇒ Si + 2H2 以氫氣為載子氣體 製程溫度850 ℃至1000 ℃ 結晶結構依賴沉積溫度及速率 9 化學蒸氣沉積材料簡介 兩種方法沉積多(複)晶矽 ：( 續) 2. SiH4 + 熱能 ⇒ Si + 2H2 以氮氣為載子氣體 製程溫度600 ℃至700 ℃ 結晶結構依賴沉