具有逆向导通能力的GaN功率开关器件.pdf

第 46卷第 12期 电力 电子技 术 Vo1．46，No．12 2012年 12月 PowerElectronics Deeember2012 具有逆向导通能力的GaN功率开关器件 魏 进 一，姚 尧 ，张 波 ，刘 扬 (1．中山大学，物理科学与工程技术学院，广东 广州 510275； 2．电子科技大学，微电子与固体 电子学院，四川 成都 610054) 摘要 ：介绍了一种具有逆 向导通能力的GaN功率开关器件逆 向导通．高电子迁移率晶体管(RC．HFET)。通过在 栅极与漏极之间插入一个 肖特基 电极并与源极连接，RC—HFET获得 了一个逆 向导电通路 ，从而相当于一个功 率开关与二极管反并联结构。RC—HFET正向工作的原理与传统 HFET相似 ，导通 电阻与传统HFET相近。在器 件制造上 ，RC．HFET与传统HFET完全兼容，无需额外的光刻版及加工流程。因此，在 电机驱动等需要反向续 流的功率系统中，RCHFET消除了对续流二极管的需求 ，提供了一种更具成本优势的方案。 关键词 ：晶体管 ：逆向导通 ：体二极管 中图分类号：TN32 文献标识码：A 文章编号：1000—100X(2012)12—0067—02 TheGaN PowerSwitchW ithReverseConducting WEIJin一，YAO Yao，ZHANG Bo，LIU Yang (1．SunYat—senUniversity，Guangzhou510275，China) Abstract：AreverseconductingGaNpowerswitchreverseconductinghighelectronmobilitytransistor(RC—HFET)is presented．A Schottkycontactthatelectrically connectedwith thesourceisputbetween thegateandthedrain asare— verse conductingpath，thusequivalentto a transistor and diode in antipalleled configuration．The forward working mechanism ofRC—HFET issimilartothatoftheconventional HFET，with closeonresistances．Thefabricatingofthe RC-HFET ishighlycompatiblewiht theconventionalHFET，needingno additionalphotolithographyandotherprocess． Th erefore，in powersystemssuch asmotorcontrolling，RC-HFET avoidstherequirementforafreewheelingdiode，of— fetingacosteffectivesolution． Keywords：transistor；reverseconducting；bodydiode FoundationProject：SupposedbytheNationalNaturalScienceFoundationofChina(No．511777175)；Ph．D．Pro- gmmsFoundationofMinistryofEducationofChina(No．20110171110021) 1 引 言 不具有逆向导电能力。获得具有逆向导电能力的 IGBT成为功率器件领域的一个研究热点 。 续流二极管在开关功率系统中使用广泛。例