偏压对ecr-微波等离子增强沉积zrn薄膜的结构及性能的影响 structure and properties of zrn films prepared by ecr-microwave plasma source enhanced sputtering under different bias voltages.pdfVIP

偏压对ecr-微波等离子增强沉积zrn薄膜的结构及性能的影响 structure and properties of zrn films prepared by ecr-microwave plasma source enhanced sputtering under different bias voltages.pdf

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偏压对ecr-微波等离子增强沉积zrn薄膜的结构及性能的影响 structure and properties of zrn films prepared by ecr-microwave plasma source enhanced sputtering under different bias voltages

第28 卷 第6 期 核 技 术 Vol. 28, No.6 2005 年6 月 NUCLEAR TECHNIQUES June 2005 偏压对ECR-微波等离子增强沉积ZrN 薄膜的 结构及性能的影响 1, 2 2 2 3 刘天伟 董 闯 邓新禄 陈 曦 1 (大连理工大学三束国家重点实验室 大连 116024 ) 2 (中国工程物理研究院 绵阳 621900 ) 3 (江苏大学微纳米中心 镇江 212013 ) 摘要 利用ECR-微波等离子溅射沉积技术加不同偏压在45 #钢基体上制备了ZrN 薄膜。利用X 射线衍射仪 (XRD )、透射电子显微镜(TEM )对薄膜的微观组织结构进行了分析。结果表明,无偏压时薄膜为非晶膜, 随着偏压的升高,薄膜呈 ZrN 晶体结构。利用扫描电镜(SEM )、原子力显微镜(AFM )测试了薄膜表面形 貌。薄膜表面平整,但仍存在局部缺陷;粗糙度(RMS )在 0.311—0.811 nm 之间变化,轮廓算术平均值(Ra ) 在0.239—0.629 nm 之间变化。同时利用电化学极化实验在0.5 mol/L NaCl 溶液中测试了基体及薄膜的耐蚀性 能,基体自腐蚀电位Ecorr 为–512.3 mV ,样品Ecorr 在–400.3— –482.6 mV 之间变化,45 #钢基体自腐蚀电流Icorr 为9.036 µA ,样品Icorr 在0.142—0.694 µA 之间变化。并讨论了偏压对薄膜的微观组织和耐蚀性能产生影响的 原因。 关键词 等离子体增强沉积,非平衡磁控溅射,ZrN 薄膜,偏压 中图分类号 O484.1 [9, 10 ] 近年来表面薄膜技术在改善材料的使用寿命方 原来沉积的原子横向移动,提高薄膜的致密性 。 面正扮演着越来越重要的角色。通过选择恰当的薄 大连理工大学三束实验室自行研制的 ECR-微 膜材料和制备工艺,可以有效地延长基体材料的使 波等离子体增强溅射沉积装置,具有以下特点:低 用寿命,提高产品的商业价值。 温沉膜;无极放电、无污染、薄膜质量高;能量转 过去几十年人们对过渡族金属氮化物、碳化物 换率高,95% 以上的微波功率可以转换为等离子体 薄膜材料,特别是TiN 进行了深入的研究,取得了 能量;离化率高(8%—12% )。这些特点有利于制 较为满意的研究成果和使用效果[1—3] 。最近几年, 备高质量的薄膜[ 11] 。我们利用该装置研究了ZrN 薄 由于ZrN 薄膜可制作扩散障碍层、装饰膜、硬质膜、 膜的结构变化、薄膜抗蚀性能与偏压的关系。 具有优良的抗腐蚀性能、好的机械性能、漂亮的金 [ 4—6] 1 实验方法 黄色外观等优良性能,越来越受到人们的关注 。 在这些运用中薄膜材料经常与腐蚀性气体、液体等 1.1 实验设备及样品制备 接触,从而受到腐蚀“攻击”,尽管这些薄膜材料具 有优良的抗腐蚀性能,但由于薄膜中存在的缺陷将 薄膜制备在大连

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