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TFT有源层刻蚀均一性和电学性质的研究
第 卷 第 期 液晶与显示
３０ ５
Vol．３０ No．５
ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas
年 月 q y p y
２０１５ １０ Oct．２０１５
文章编号: ( )
１００７Ｇ２７８０２０１５０５Ｇ０８０１Ｇ０６
TFT有源层刻蚀均一性和电学性质的研究
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王守坤 袁剑峰 郭总杰 郭会斌 刘 杰
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郑云友 贠向南 李升玄 邵喜斌
( , )
北京京东方显示技术有限公司 北京 １００１７６
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摘要 对 TFT制作工艺中 TFT有源层刻蚀均一性与电学性质进行分析研究 通过扫描电子显微镜 电学测试设备对
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样品进行分析 结果显示沟道有源层的刻蚀功率 气体比例及刻蚀压强对有源层的刻蚀均一性都有较大影响 并会影响
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TFT电学特性的均一性 通过适当降低刻蚀功率及反应气体 SF Cl的比例 同时 降低反应压强 可以改善有源层刻
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蚀的均一性 从而 TFT电学特性的均匀性得到优化
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关 键 词 薄膜晶体管 加强型阴极耦合等离子体 有源层 非晶硅膜 均一性
中图分类号: 文献标识码: : /
TN３２１．５ A doi１０．３７８８YJYX０８０１
Analsisofetchin uniformitofactivelaersand
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electricalcharacteristicsofthinfilmtransistorelectrode
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WANGShouＧkun YUANJianＧfen GUOZonＧie GUOHuiＧbin LIUJie
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ZHENGYunＧouYUNXian
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