现代集成电路制造工艺原理-第九章.pptVIP

现代集成电路制造工艺原理 山东大学 信息科学与工程学院 王晓鲲 第九章 集成电路制造工艺概况 CMOS工艺流程 CMOS制作步骤 CMOS工艺流程 集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。 薄膜制作 刻印 刻蚀 掺杂 CMOS工艺流程中的主要制造步骤 硅片制造厂的分区概述 扩散 扩散区：一般认为是进行高温工艺及薄膜淀积的区域。 氧化，扩散，淀积，退火以及合金 主要设备 高温扩散炉 湿法清洗设备 光刻 光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上。 光刻胶是一种光敏的化学物质，对深紫外线和白光敏感，对黄光不敏感。 涂胶/显影设备对准/曝光设备 首先对硅片进行预处理，涂胶、甩胶、烘干，然后将硅片送入对准及曝光设备进行对准和曝光，最后回到涂胶/显影设备进行显影、清洗和再次烘干。 刻蚀 刻蚀:在硅片上没有光刻胶保护的地方留下永久的图形。 常见工具 等离子体刻蚀机 等离子体去胶机 湿法清洗设备 离子注入 气体带着要掺的杂质，在注入机中离化。利用高电压和磁场来控制并加速离子。高能杂质离子穿透了涂胶硅片的表面，注入到硅片的晶格结构中。 薄膜生长 负责介质层与金属层的淀积 温度低于扩散区 中低真空环境 设备 化学气相淀积（CVD） 金属溅射工具 SOG系统 快速退火装置 。。。 抛光（CMP） 抛光（CMP）工艺的目的是使硅片表面平坦化。是化学腐蚀与机械研磨的结合。 CMOS制作步骤 双阱工艺 浅槽隔离工艺 多晶硅栅结构工艺 轻掺杂漏（LDD）注入工艺 侧墙的形成 漏/源（S/D）注入工艺 接触孔的形成 局部互连工艺 通孔1和金属塞1的形成 金属1互连的形成 通孔2和金属塞2的形成 金属2互连的形成 制作金属3直到制作压点及合金 参数测试 双阱工艺-n阱 外延生长 原氧化生长（1000°C；150?） 保护表面外延层 阻止在注入过程中对硅片过渡损伤 控制杂质注入深度 第一层掩膜，n阱注入 检测刻印图形的线宽是否得当。如有重大缺陷，去胶返工。 n阱注入（高能） 磷；1μm 退火 新的阻挡氧化层 扩散 修复损伤 激活 双阱工艺-p阱 第二层掩膜，p阱注入 p阱注入（高能） 硼的原子量为11，磷的原子量为31。所以注入硼所需的能量相当于注入磷所需的能量的三分之一 退火 浅槽隔离工艺-STI槽刻蚀 隔离氧化层（150?） 氮化物淀积 STI氧化物淀积过程中保护有源区 在化学机械抛光这一步中充当抛光阻挡材料 第三层掩膜，浅槽隔离 STI槽刻蚀 刻蚀后检测内容：核实台阶高度，刻蚀速率，特征尺寸检测，缺陷检测 浅槽隔离工艺-STI氧化物填充 沟槽衬垫氧化硅 在曝露的隔离沟槽的侧壁上生长一层~150?的氧化层 Si3N4阻止氧分子向有源区扩散 改善硅和填充氧化物之间的界面特性 沟槽CVD氧化物填充 利用化学气相淀积完成 浅槽隔离工艺-STI氧化层抛光-氮化物去除 沟槽氧化物抛光（化学机械抛光） 氮化物去除 检查隔离氧化层厚度 多晶硅栅结构工艺 栅氧化层的生长 清洗在进入氧化炉前的几个小时内进行 厚度20-50? 多晶硅淀积 厚度5000? 淀积后掺杂 第四层掩膜，多晶硅栅 用于定义栅光刻胶的宽度是整个集成电路上最窄的结构。 必需进行的质量测量：特征尺寸、 套准精度、和缺陷检测 多晶硅栅刻蚀 使用最好的各向异性等离子体刻蚀机，获得垂直的剖面 轻掺杂漏注入工艺-n-LDD注入 第五层掩膜，n-LDD注入 n-LDD注入 （低能量，浅结） 使用分子量比磷大的砷来进行选择注入 轻掺杂漏注入工艺-p-LDD注入 第六层掩膜，p-LDD注入 p-LDD注入 （低能量，浅结） 使用分子量更大的BF2代替硼，获得浅结 侧墙的形成 淀积二氧化硅 厚度：1000? 二氧化硅反刻 使用各向异性刻蚀工具 不需要掩膜三 源/漏注入工艺-n+源/漏注入 第七层掩膜， n+源/漏注入 n+源/漏注入 （中等能量） 源/漏注入工艺-p+源/漏注入 第八层掩膜， p+源/漏注入 p+源/漏注入 （中等能量） 退火 使用快速退火装置（RTP），有利于阻止结构扩展，控制源/漏的杂质扩散 接触（孔）的形成 钛的淀积 利用溅射工艺 退火 生成TiSi2 刻蚀金属钛 用化学方法刻蚀掉没有发生反应的金属钛 局部互连工艺-形成氧化硅介质的步骤 化学气相淀积氮化硅，作为阻挡层 掺杂氧化物的化学气相淀积 引入杂质能够提高玻璃的介电特性 退火使玻璃流动，得到更加平坦的表面 氧化层抛光 抛光后氧化层厚度约为8000? 第九层掩膜，局部互连刻蚀 局部互连工艺-制作局部互连金属的步骤 金属钛淀积 钛充当了钨与二氧化硅间的黏合剂 氮化钛淀积 TiN充当金属钨的扩散阻挡层 钨淀积 钨能够无空洞地填充孔。 钨有良好的抛磨特性 磨抛钨 磨抛到局部互连介质层的上表面 通孔