多量子阱激子光学非线性3.pdf

　第 19 卷第 1 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　 　　 . 19, . 1　 V o l N o 　1998 年 1 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　Jan. , 1998　 多量子阱 ZnSe ZnCdSe 激子光学非线性 栗红玉　申德振　张吉英　杨宝均　范希武 ( 中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室　长春　130021) 摘要　本文采用泵浦探测技术研究了 多量子阱室温激子饱和吸收, 并根据 ZnSe ZnCdSe K K 关系计算得到 521. 6nm 至 544nm 的光学非线性折射率的变化. 观测到由折射率变化引起的 多量子阱光双稳器件的室温激子光双稳. 根据 多量子阱的激子吸 ZnSe CdZnSe ZnSe ZnCdSe 收谱及激子的非线性理论, 归结其主要非线性机制为激子态的相空间填充和激子带展宽. : 4265, 6865, 7320, 7340 , 7865 PACC L 1　引言 宽带 族半导体超晶格具有较大的激子束缚能和较强的激子光学非线性, 有望成为 未来光计算机某些基础元件的理想候选材料, 因此对 族材料的激子光学非线性及光双 [ 1 ] ( , ) 多量子阱 稳的研究日益受到人们的广泛重视. 1990 年D ing 等人 报道了 Zn Cd Se ZnSe [ 2 ] ( ) 的室温激子吸收; 1995 年L ow isch 等人 研究了M BE 分子束外延 生长的 CdZnSe ZnSe ( ) 三个量子阱的低温激子光学非线性. 本文报道了由M OCVD 金属有机化学气相沉积 生长 的 多量子阱激子光学非线性, 计算得到非线性折射率变化, 并研究了由折射 ZnSe ZnCdSe 率变化而引起的光学双稳态. 2　实验 实验中使用的 多量子阱样品是用 方法生长在 型 衬底 ZnSe ZnCdSe M OCVD n GaA s 上, ZnCdSe 阱层和ZnSe 垒层分别为 5nm 和 10nm , 并重复 50 个周期. 采用电化学阳极腐蚀 [ 3 ] 衬底的方法 , 对 多量子阱层进行选择性腐蚀以获得通光窗口; 在 GaA s ZnSe ZnCdSe