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铝栅、硅栅器件的版图 铝栅工艺MOSFET的结构Structure N阱硅栅CMOS IC的剖面图 以SiO2为栅介质时，叫MOS器件，这是最常使用的器件形式。历史上也出现过以Al2O3为栅介质的MAS器件和以 Si3N4为栅介质的MNS 器件，以及以SiO2+Si3N4为栅介质的MNOS器件，统称为金属-绝缘栅-半导体器件--MIS 器件。 以Al为栅电极时，称铝栅器件。以重掺杂多晶硅(Poly-Si) 为栅电极时， 称硅栅器件。它是当前MOS器件的主流器件。 硅栅工艺是利用重掺杂的多晶硅来代替铝做为MOS管的栅电极，使MOS电路特性得到很大改善，它使|VTP|下降1.1V，也容易获得合适的VTN值并能提高开关速度和集成度。硅栅工艺具有自对准作用，这是由于硅具有耐高温的性质。栅电极，更确切的说是在栅电极下面的介质层，是限定源、漏扩散区边界的扩散掩膜，使栅区与源、漏交迭的密勒电容大大减小，也使其它寄生电容减小，使器件的频率特性得到提高。另外，在源、漏扩散之前进行栅氧化，也意味着可得到浅结。 铝栅工艺为了保证栅金属与漏极铝引线之间有一定的间隔，要求漏扩散区面积要大些。而在硅栅工艺中覆盖源漏极的铝引线可重迭到栅区，这是因为有一绝缘层将栅区与源漏极引线隔开，从而可使结面积减少30%~40%。硅栅工艺还可提高集成度，这不仅是因为扩散自对准作用可使单元面积大为缩小，而且因为硅栅工艺可以使用“二层半布线”即一层铝布线，一层重掺杂多晶硅布线，一层重掺杂的扩散层布线。由于在制作扩散层时，多晶硅要起掩膜作用，所以扩散层不能与多晶硅层交叉，故称为两层半布线．铝栅工艺只有两层布线：一层铝布线，一层扩散层布线。硅栅工艺由于有两层半布线，既可使芯片面积比铝栅缩小50%又可增加布线灵活性。 简化N阱硅栅CMOS工艺演示 氧化层生长 曝光 氧化层的刻蚀 N阱注入 形成N阱 氮化硅的刻蚀 场氧的生长 去除氮化硅 重新生长二氧化硅（栅氧） 生长多晶硅 刻蚀多晶硅 刻蚀多晶硅 P+离子注入 N+离子注入 生长磷硅玻璃PSG 光刻接触孔 刻铝 刻铝 铝栅PMOSFET的制造流程 Step 0: Start with a bare n-type silicon wafer. *Step 1: (layering) Grow thick layer (5000?) of silicon dioxide (field oxide) to act as a doping barrier. *Step 2a: (patterning) Apply photoresist. Source/Drain: Photomask (dark field) mask 1 Step 2b: (patterning) Expose photoresist to create temporary pattern for source/drain regions. Step 2c: (patterning) Develop photoresist, completing temporary pattern for source/drain regions. Step 2d: (patterning) Wet etch permanent openings for source/drain into field oxide. Step 2e: (patterning) Remove photoresist. Permanent pattern remains in the silicon dioxide. Source/Drain Windows: Microscope View mask 1 *Step 3a: (doping) Apply p-type spin-on dopant film. Boron penetrates into the silicon through the holes in the field oxide to begin formation of the source and drain regions. Step 3b: (heat treatment) Drive dopants deeper into silicon using high temperatures (~1000℃), completing formation of the source and drain regions. Step 4a: (layering) Wet etch to remove SOD (spin-on dopant) and field oxide la