DC_PCVD法沉积的非晶态氮化硅的结构与性能研究.pdf

第 1 5 卷 第 2 期 材　料　科　学　与　工　程 总第5 8 期 V o l 1 5 N o 2 M ater ia ls Scien ce En g in eer in g J un e. 1997 D C- PCVD 法沉积的非晶态氮化硅的 结构与性能研究 周　海 北京石油化工学院, 　北京　102600 　　【摘　要】　对用直流等离子体化学气相沉积 (D C - PCVD ) 法得到的非晶态氮化硅薄膜结构 与性能进行了研究。对氮化硅薄膜的表面显微硬度和剖面显微硬度进行了测试, 并对非晶态氮化硅 硬度高于晶态氮化硅硬度的原因进行了探讨。 【关键词】　化学气相沉积　非晶态　氮化硅薄膜　显微硬度 The Research of the Structure an d the Propert ies of Am orphous Sil icon N itr ide Form ed by D irect - Curren t P la sma Chem ica l Vapour D eposit ion Zhou　Ha i - , , 102600 Be ij in g In st itute of Petro Chem ica l Techn ology Be ij in g 【 】　 Abstract T h e st ru ctu re an d th e p rop er ty o f am o rp hou s silicon n it r ide film fo rm ed by d irect cu r ren t ( ) . p la sm a ch em ica l vapou r depo sit ion D C PCVD w ere an a lyzed T h e su rface m icroh ardn e ss an d th e cro ss sec t ion m icroh ardn e ss o f silicon n it r ide w ere te sted. T h e rea son s w hy th e h ardn e ss o f am o rp hou s silicon n it r ide is h igh er th an th at o f cry sta l silicon n it r ide w ere a lso d iscu ssed. 【 】　 , , , Key W ords Ch em ica l vapou r depo sit ion Am o rp hou s Silicon n it r ide film M icroh ardn e ss 一、前　　言 作为陶瓷材料, 氮化硅(Si3N 4 ) 具有很多优异性能。如: 具有很高的硬度, 可以作为刀具涂 层, 以提高刀具的使用寿命, 也可直接做成刀具使用; 它具有抗硫酸、盐酸和氢氟酸腐蚀的能 力。氮化硅薄膜是很好