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- 2017-07-25 发布于浙江
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InP_Si键合技术研究进展
电 子 工 艺 技 术 第 3 1卷第 1期
12 E lectron ic s Process Technology 20 10年 1月
· SM T / PCB ·
InP / Si键合技术研究进展
刘邦武 ,李超波 ,李勇涛 ,夏洋
(中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室 ,北京 100029)
摘 要 : InP材料及其器件的研制是近年来研究热点之一 ,而键合技术又是光电子集成研究领
域内一项新的制作工艺 。利用键合技术结合离子注入技术可以 InP 薄膜及器件集成到 Si衬底上 ,
改善机械强度 ,降低成本 ,具有非常诱人的应用前景 。概括地介绍了近年来 InP 在 Si上的键合工
艺及层转移技术研究进展 ,并对 InP和 Si的几种键合工艺进行了分析 。降低 InP和 Si
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