InP_Si键合技术研究进展.pdfVIP

电 子 工 艺 技 术 第 3 1卷第 1期 12 　　　　　　　　　　　　　E lectron ic s Process Technology　　　　　　　　　　　　　　　20 10年 1月 　 ·　SM T / PCB　 · InP / Si键合技术研究进展 刘邦武 ,李超波 ,李勇涛 ,夏洋 (中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室 ,北京 　100029) 摘 　要 : InP材料及其器件的研制是近年来研究热点之一 ,而键合技术又是光电子集成研究领 域内一项新的制作工艺 。利用键合技术结合离子注入技术可以 InP 薄膜及器件集成到 Si衬底上 , 改善机械强度 ,降低成本 ,具有非常诱人的应用前景 。概括地介绍了近年来 InP 在 Si上的键合工 艺及层转移技术研究进展 ,并对 InP和 Si的几种键合工艺进行了分析 。降低 InP和 Si键合温度 , 进行低温键合是其发展趋势 。比较几种键合技术 ,利用等离子活化辅助键合是降低键合温度的有 效途径 。 关键词 : Si; InP;键合 ;层转移 中图分类号 : TN 405　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 100 1 - 3474 (20 10) 0 1 - 00 12 - 04 Research Advances in InP / SiW afer Bonding L IU Bang - wu, L I Chao - bo, L I Y ong - tao, X IA Y ang ( Key L abora tory of M icroelectron ic s D ev ices In tegra ted Technology, In stitute of M icroelectron ics, Ch inese A ca dem y of Sc iences, Be ij ing　100029, Ch ina) A b stract: The developm en t of InP m aterial and its device s ha s attracted m uch atten tion in recen t years. A nd wafer bonding techno logy is an attractive fab rication m ethod, wh ich ha s the poten tial for ach ie ving de sirab le op toelectron ic in tegration. The InP layer can be tran sferred on to Si sub strate by wafer bond ing and sm art cu t, wh ich can imp rove the strength and reduce the coat. It m ay also op en up a new array of op toelectron ic device s. R e search advance s in InP / Si wafer bonding and layer tran sfer techno logy are ou t lined. It is of importance to reduce the InP / Si wafer bonding temp eratu re. The mo st efficien t way to reduce the bonding temp eratu re is p la sm a activated wafer bonding