电子论文-半桥驱动器中高压电平位移电路的研究.pdfVIP

第39卷第 1期 电力电子技术 Vo1．39．No．1 PowerElectronics 20o5年 2月 Februarv．20o5 半桥驱动器中高压电平位移电路的研究 艾俊华，何杞鑫，方绍华 (浙江大学．浙江 杭州 310027) 摘要：通过在半桥驱动器中使用高压电平位移电路可 以得到所需的工作频率而无需脉冲变压器驱动功率开关， 提高了电路的频率稳定性。运用MEDICI器件结构仿真工具对高压器件的结构进行了模拟仿真，达到了600V以上 的耐压要求。最后用Hspice对电路进行了功能仿真并给出了实验结果。仿真采用0．6txmBiCMOS工艺。 关键词：驱动电路，半桥驱动器；电平位移；高压功率器件 中图分类号 ：TM46 文献标识码：A 文章编号 ：1000—100X(2005)01—0109-03 ResearchonHighVoltageLevelShifterinHalf-bridgesDrive AIJun-hua，HEQi-xin，FANGShao-hua (ZhejiangUniversity,Hangzhou310027，China) Abstract：Throughthehighlevelshfiterinhalf-bridges，wecanchoosetheexpectedworkingfrequencywithoutpulse- transformertodrivethepowerswitch，htusthefrequencystabilityofhtecircuitwasenhanced．Thestructureofhtehigh- voltagepowerdevicewasverifiedandsimulated byMEDICI,andthewithstandvoltageexceeds600V．ThecircuitWas simulatedwithHspicebasedon0．6txm BiCMOStechnologyandtheexperimentresultsaregiven． Keywords：drivingcircuit／half-bridgedriver,；levelshifter,；high-voltagepowerdevice 1 前 言 现具有一定的困难。 目前，国产的电子镇流器几乎都采用传统的变 基于上述认识，本文对一种应用于 自振荡半桥 压器驱动半桥逆变电路。众所周知，在以变压器驱动 驱动器的高压电平位移电路作了详细的分析并提出 的电子镇流器中．接成推挽型式的两只功率晶体管 了一种与低压工艺相兼容的高压器件结构。通过 不仅用作开关，同时又是振荡电路中的重要有源元 MEDICI工具的模拟 ．实现了高压器件的耐压要求， 件。这种依靠脉冲变压器耦合的高频振荡器，需要由 从而实现了高压电平位移电路的功率集成。 电阻、启动电容和双向二极管等组成的触发电路来 2 高压电平位移工作原理与电路分析 启动，从而建立振荡。通过变压器次级线圈产生相位 图1示出普通的高压电平位移电路原理图。高 相反的脉冲驱动两只功率管，使其交替饱和导通，从 压电平位移电路驱动信号 i的频率 由前级振荡 电 而在它们的中点输出高频电压为灯供电，依靠电感 路产生。振荡器的工作原理与CMOS555时基 电路 和电容等组成的串联电路，发生谐振时在启动电容