Cr 4 + 在八面体格位中的光谱特性研究 - 物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’’ ( #$$( ( ， ， ， NA/ 5’’ JA 5( MV3W #$$( （ ） !$$$91#2$H#$$(H’’ $( H1!219$) .*T. UREDP*. DPJP*. ##$$( *=;3 5 U=@X 5 DAB 5 !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! !# $ 在八面体格位中的光谱特性研究 ） ） ） ） ） ） ! ! ! # ! ! 张 丹 苏良碧 徐 军 杨秋红 张连翰 李红军 !）（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海 #$!%$$ ） # ）（上海大学材料科学与工程学院，上海 #$$$# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #$$’ !# #! #$$( ! !) 采用提拉法生长了 单掺和 ， 共掺 晶体，后者具有 — 的宽带吸收 研究了该吸收带在不 *+ *+ ,- ./ 0 2$$ !($$34 5 # 1 同气氛、不同温度退火下的变化规律 通过建立合理的晶格缺陷模型，成功地解释了所有的实验结果，并确定 ， 5 *+ ,- 共掺./ 0 晶体红外波段宽吸收带属于八面体格位中的*+) 6 离子5 # 1 ) 6 关键词： 离子，八面体格位，晶格缺陷 *+ ： ， ， %!! 2’’7 %)$ %!!$7 间的吸收峰属于*+) 6 5 !C 引 言 # C 实 验 *+) 6 掺杂的晶体材料既是红外宽带增益介质， 又是 附近的高效被动 开关 ) 6 掺杂的 采用高纯度 的 （ ）和 ! 4 ! 5 *+ 9./ 0 22 C222 I ,-0 ! # 1 （镁橄榄石）， 等多种激光晶体均能够在