气密封装半导体器件内部水汽无损检测—露点温度测试法.pdfVIP

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气密封装半导体器件内部水汽无损检测—露点温度测试法

维普资讯 气密封装半导体器件内部水汽无损 检测 露点温度测试法 机电部五所 棘爱斌 郑廷琏 曼缺乏有效的检测手 段,有关研究工作 电进 一 、 密封管壳内水汽检测的意义 行不多 然丽 ,这确是一个很值得注意而 目 急待解决的问题 。 半 导体器件管壳中的水汽,对器件的可 靠件和使用寿命影响很大 。水汽的存在会引 二、密封管壳内水汽含量的 起器件表面漏电,使MOS器件栅氧化 层 电 检测方法 退化 ,加 E对某些沾污离子的溶解和电偏压 晌存在,会在器件中发生各种 电化学反应. 测定密封管壳 中水汽含量的方法一般有 使金属连线受腐蚀而导致开路 。这些溶解 了 兰种:①直接抽出封壳 内的水汽进行质谱分 沾污离子的水汽也加速 了电性能 劣化甚至失 析 。其特点是数据定量准确性高 ,缺 点是要 效。据统计 ,在微电子器件中,因水汽所致 对样品进行破坏l性的穿刺 ,②把湿敏元件作 的漏电、蟪路 、电性能退化等失效 占总失效 为传感器封进封壳内检测管壳内的湿度 。其 的5O 以上 。水汽 问题早已引起 了国际半导 恃点是数据较准确 ,对被测器件无破坏性, 体电子工业界的高度重视 ,历 届国际可靠蛀 缺点是要 占用器件两支管脚,只能对封进湿 物理年会上,都把水汽作为一个独立的可 靠 敏元件的器件进行测量 ,⑧通过低温下水汽 性问题而列入议程 。此外.美国军标对所有 在器件芯片表面凝露对器件PN结反向特 性 军用电子器件的封装气氛 、封壳 内的水汽台 (即漏 电流)的 影 响 (即 露 点 温 度 的 检 量,乃至检测这些水汽的方法都作了明确规 测),来计算术汽的含量 。其特点是可对任 定 ,制定 了相应的标准 。 何一个成品进行无损检测,缺点是数据的准 在我国 ,由于种种原 因微 电子器件封壳 确性比不 上 前 两 种 方 法 。在MIL一883和 内水汽的危害还役有引起人们的充分注意, MIL一750中,对上述几种方 法均作了相应的 础 。这一文件 也是与JEDEC JC一13.5第75 试验方法 。 工作组 及 DOD/NASA 紧 密 台 作 制订 MIL—STD一1772以及QML配套文件 , 的。标准草案 已作了充分评审,它的发布 , 为保证混合微 电路质量和可 靠性提供了一种 将取代 MIL—M一38510,成为混合微 电路的 新方法,制造商与应用商均 已从中获得收益。 指导文件 。 制造商与应用商之间紧密合作,吼及工业界 RADC在甚大规模集成电路 (VItSIC) 与政府之间紧密合作,是促进这一计划成功 计划支持下 ,已经着手起草单片集 成 电路 的重要 因素 。最近 ,QML混合微 电路器件 QML程序 。程 序草案、通用规程草案 已于 已经列入MIL STD一1562优先选用器件 目 1988年 3月8日发布 ,目前正在审 议 中 。 录。这是混合微 电路新认证体系获得成功的 RADC 还准备 或者修订现有射频/微波混 又一证 明。 合器件和GaAs器件试验方 法 ,或者制订新 (余密达 编监 )

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