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低Vth、低节电容开关损耗小低Vth、低节电容开关损耗小
HC160N10LS
深圳市惠新晨电子有限公司 100V-5A N-Channel Advanced Power MOSFET
Features V DS 100 V
R DS(on),TYP@ VGS=10V 135 mΩ
N-Channel
R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 145 mΩ
Enhancement mode
I D 5 AAAA
@ V =4.5 V
Very low on-resistance RDS(on) GS
Fast Switching
Pb-free lead plating; RoHS compliant
SOT23-3
Tape and reel
Part ID Package Type Marking
information
HC160N10LS SOT23-3 HC5XX 3000pcs/Reel
Maximum ratings, at Tj =25°C, unless otherwise specified
Symbol Parameter Rating Unit
V Drain-Source breakdown voltage 100 V
(BR)DSS
I Diode continuous forward current T =25°C 5 A
S C
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