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低Vth、低节电容开关损耗小低Vth、低节电容开关损耗小 HC160N10LS 深圳市惠新晨电子有限公司 100V-5A N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 100 V R DS(on),TYP@ VGS=10V 135 mΩ  N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 145 mΩ  Enhancement mode I D 5 AAAA @ V =4.5 V  Very low on-resistance RDS(on) GS  Fast Switching  Pb-free lead plating; RoHS compliant SOT23-3 Tape and reel Part ID Package Type Marking information HC160N10LS SOT23-3 HC5XX 3000pcs/Reel Maximum ratings, at Tj =25°C, unless otherwise specified Symbol Parameter Rating Unit V Drain-Source breakdown voltage 100 V (BR)DSS I Diode continuous forward current T =25°C 5 A S C

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