50N06贴片mos管 TO-252（50A 60V）.pdfVIP

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2017-07-26 发布于广东
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深圳市惠新晨电子有限公司 50N06 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The 50N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● V =60V,I =50A DS D RDS(ON) 20m @ VGS=10V Schematic diagram ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Application ● Power switching application Marking and pin assignment ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ●AEC Q101 qualified ●Green Product (RoHS compliant) TO-252-2L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 50N06 50N06 TO-252-2L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous