具有串行接口的I-O扩展器EM83010及其应用.docVIP

　　具有串行接口的I/O扩展器EM83010及其应用|第1 内容加载中...lunouseg(this) · 工作电压宽：2.5V～5.5V · 低功耗，工作电流0.5mA，静态电流15μA · 18DIP／SOIL封装形式 1.1 管脚定义 对于18DIP封装的EM83010而言，其管脚功能如表1所示。 1.2 内部功能框图 500)this.style.ouseg(this) EM83010内部功能框图如图1所示。EM83010内部主要包括I/O控制逻辑、存储控制逻辑、地址指针、144字节的RAM、状态及控制寄存器、两个端口及其对应的数据寄存器和控制寄存器。 1.3 2线串行接口 EM83010支持双向2线串行接口，其中由SCK提供串行同步时钟，SDT收发数据，并且最多可以有8个EM83010同时共享该总线。 串行总线上数据传送的时序如图2所示。 数据传输依次为：START、GRP位、DATA（控制字节、数据或地址，高位在前，低位在后）、ACK位、STOP。其中START定义为SCK=“1”时SDT的下降沿；STOP定义为SCK=“1”时SDT的上升沿；若GRP=“0”，表示下面的字节是控制字节，否则表示下面的字节是数据或地址；ACK的产生方法是在ACK周期（回应时钟）的高电平期间将SDT拉低。STOP产生之后，SCK、SDT保持高电平状态。 串行总线上定义了三种数据格式： 500)this.style.ouseg(this) （ａ) 控制字节的传送 500)this.style.ouseg(this) （ｂ） 随机地址的数据读写 500)this.style.ouseg(this) （ｃ） 连续地址的数据读写 500)this.style.ouseg(this) 在以上数据格式中，S：开始（START）；P：停止（STOP）；D：数据（8位）；1：（GRP）高电平；0：（GRP）低电平；A：地址（8位）；K：读数据时有回应（ACK）；C：控制字节（8位）；NK：读数据时无回应（No ACK）。 500)this.style.ouseg(this)1.4 控制字节 控制字节的位定义如表2所示。 注：（T1 T0 A2 A1 A0）=（1 1 0 0 0）被保留， 用于R－option地址。 1.5 寄存器（I/O端口及RAM） 1.5.1 寄存器（I/O端口、RAM）分配表 寄存器（I/O端口及RAM）分配表如表3所示。 1.5.2 R00～R01（端口0～端口1） ·R00是6位寄存器，对应端口0，读写R00的高2位无意义。 500)this.style.ouseg(this) ·R01是8位寄存器，对应端口１。 ·每个I/O管脚均可定义为输入或输出。 ·写入R00和R01时是串行传送的，但数据被刷新到管脚上是同时的；读R00和R01时，管脚数据的 采样也是同时的。 1.5.3 R02和R03（IOC0和IOC1） ·IOC0（R02）是6位寄存器，控制端口0数据I/O的方向，读写IOC0的高2位无意义。 ·IOC1（R03）是8位寄存器，控制端口1数据I/O的方向。 ·IOC0和IOC1中的“1”置对应管脚为高阻，表示输入；“0”置对应管脚为输出状态。 ·上电后，IOC0和IOC1各位均为“1”。 ·IOC0和IOC1的接收是串行的，但写入寄存器是同时的。 1.5.4 R04～R93（通用寄存器） ·R04～R93为144字节的通用寄存器（SRAM）。 1.6 R－option地址片选 总线上有多个设备时，每个设备应具有不同的地址。如表1所示，P00～P02可作为R-option 脚，用于芯片的片选。 每个R-option管脚被内部电路微弱拉为高电平，若外接560kΩ电阻接地则读作“0”，否则读作“1”。 上电后必须在控制字节中发出“读R-option”命令（此时Control byte且“STOP”上升沿之前应该延时500μs），将片选地址读入后，P00～P02的R-option地址片选才起作用。 P00～P02可作为双向I/O管脚，由于R-option功能的原因，建议P00～P02用作输出脚。 1.7 EM83010的应用电路举例 EM83010的应用电路如图3所示。R2～R8=560kΩ，R1=10kΩ，此电路有3片EM83010，共用2根总线（MCS51单片机的P10和P11）。由R2～R8的接法可知，3片EM83010的地址分别为000、001、010。 这样，在图3中，2根I/O线（P10、P11）可扩展14×3=42个I/O口，以及144×3=432字节的RAM。 可见EM83010用于I/O扩展时，不