单晶扩散型LDMOS特性分析.docVIP

　　单晶扩散型LDMOS特性分析|第1 lunade of single crystal is presented. It has the characteristic of variation lateral doping and ulated by MEDICI, tension simulating devices softizing the doping concentration , the size and the location of N-type diffused region and variable doping region, a better trade-off betouseg(this) Fig.1 LDMOS结构 2 器件结构 器件结构如Fig.1所示，该结构采用了双RESURF技术，即在普通RESURF结构的N－降场层（N阱）上加入P－降场层，通过引入附加电荷有效地降低了LDMOS栅、漏两端的尖峰电场，使器件表面电场趋于均匀，既采用VLD技术可明显提高器件耐压。这里讨论的P－降场层分成P1和P2两个区，且P1的浓度低于P2的浓度, 从而使P2区栅端的电场升高, P1区末端的尖峰电场降低。该结构的击穿主要发生在栅或漏端的器件表面，因此在栅、漏两端还采用了场板技术，从而进一步降低栅和漏端的电场，使器件表面电场趋于均匀。当耐压为730V，器件击穿时表面及体内电场分布如Fig.2所示。 500)this.style.ouseg(this) 3 器件耐压分析及模拟结果 3.1 P衬底浓度和N阱浓度的确定 P衬底和N阱浓度的选取对击穿电压的高低起着决定性的作用。各层掺杂浓度要严格遵循RESURF原理，以获得最大击穿电压。通过求解二维Poisson方程可以得到近似解[7]， 500)this.style.ouseg(this)（1） 二维方程简化成一维方程得 500)this.style.ouseg(this)（2） 如Fig.1所示，为满足RESURF和电荷中性原理，P-降场层，N阱和P衬底掺杂剂量分别为1E1012cm-2，2E1012cm-2和1E1012cm-2。 当P衬底浓度过高时，N阱在结深不变的情况下其浓度要增大，此时器件击穿电压相应降低；而当P衬底浓度过低时，N阱浓度降低，器件击穿电压增大，但导通电阻也同时增大。因此，在选取器件参数时P衬底浓度有一优值。 双降场层LDMOS的N阱浓度和结深是影响器件击穿电压的关键参数。当N阱浓度偏低时，LDMOS的漂移区容易耗尽，电场在漏侧集中，导致器件首先在漏区/N阱处击穿；当N阱浓度偏高时，LDMOS的漂移区不容易耗尽，电场在P－降场层靠源区一侧集中，器件同样会过早击穿。所以通过调节N阱浓度使器件表面电场较为均匀，从而达到最大耐压，如Fig.2所示。 3.2 P-降场层浓度和长度的确定 首先考虑P-降场层为均匀掺杂时其浓度与击穿电压的关系，模拟结果如Fig.3所示。当LDMOS漏端加高压时，器件表面P-层承受大部分电压，对于均匀掺杂的P-降场层结构，其P-层中电场分布不均匀，其靠栅端和漏端处的电场均比较高。若其浓度过低则很容易耗尽，器件过早在P-降场层靠栅端一侧击穿；反之若其浓度过高则不容易耗尽，器件过早在其靠漏端一侧击穿。采用横向变掺杂技术（VLD）则有效地提高了器件击穿电压。该技术要求P-降场层的浓度从栅到漏逐渐降低，通过在器件表面引入负电荷，使表面电场在靠近栅端一侧提高，而靠近漏端一侧降低，从而使整个器件表面电场趋于均匀。在相同击穿电压下，变掺杂分布可有效地缩短LDMOS的漂移区长度，降低导通电阻。下列表中数据表明LDMOS击穿电压随降场层的P1、P2区浓度比例不同而变化。 NA(P1) cm-3 8E1015 9E1015 8E1015 7E1015 NA(P2) cm-3 8E1015 1E1016 2E1016 3E1016 VBR V 620 590 730 720 500)this.style.ouseg(this) P-降场层的长度和在漂移区中的位置对器件击穿电压也有很大影响。当P-降场层较短，降场层很快耗尽 ，器件过早在降场层靠源端一侧击穿；当该层较长时不容易耗尽，器件过早在降场层靠漏端一侧击穿，此时可将P-降场层/N阱/N+漏区视为一反偏的穿通型P-N-N+（PIN）二极管，如Fig.1所示，当L较小，即I区较短时，也使得器件容易在P-降场层靠漏端一侧过早击穿。模拟得P-降场层长度对器件击穿电压的影响如Fig.4所示。 500)this.style.ouseg(this) Fig.4 击穿电压与P-降场层长度的关系 由于栅电极和金属场板的作用，在栅氧和场氧的连接处有尖峰电场