导带非抛物线性对应变InxGa1-xAsAlAs量子阱红外谱影响.pdfVIP

第 26 卷 　第 10 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 10 2005 年 10 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Oct . ,2005 导带的非抛物线性对应变 Inx Ga1 - x As/ Al As 量子阱红外谱的影响 1 1 2 杨晓峰 　温廷敦 　张文栋 ( 1 中北大学物理系 , 太原 　030051) (2 中北大学电子科学与技术系 , 太原 　030051) 摘要 : 研究了导带非抛物线性对应变 In0. 84 Ga0. 16 A s/ AlA s/ In0. 52 Ga0. 48 A s 量子阱红外谱的影响. 用 8 ×8 k ·p 理论 分析了导带价带混合引起导带的非抛物线性 、费米能级变化和带内跃迁吸收峰位置的改变. 数值分析给出与红外 吸收实验相一致的结果 ,表明导带的非抛物线性对重掺杂量子阱红外谱有显著的影响 ,从实验红外谱可以推知导 带色散的非抛物线性特征. 关键词 : 8 ×8 k ·p 模型 ; 非抛物线性 ; 红外吸收 PACC : 7320D ; 7360N ; 2940 P 中图分类号 : O47 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 线形状时带来的影响 ,尤其在量子阱中存在应变的 1 　前言 时候 ,带顶的形状偏离抛物线状更明显 ,两种计算的 差别就更大. k ·p 微扰方法是讨论半导体导带底和价带顶 In GaA s/ AlA s 系列量子阱的理论研究有很重 附近能带结构的一种有效而实用的方法[ 1 ] . k ·p 微 要的实际意义 ,因为限制量子阱带内跃迁光探测器 扰是 Bar deen 和 Seitz[2 ] 提出的一种确定 k 空间高 工作的一个主要原因是穿透势垒的热电子发射 抑 对称点邻近的晶体电子波和有效质量的方法. 后来 制这种热电子发射可以通过降低器件的工作温度实 Shockley 将此方法推广到包含简并能带的情况[3 ] , 现 ,但低温将带来体积大 、成本高的后果. 另一种选 [4 ] [ 1 ] 择是通过增大势垒高度来降低热电子发射. 为了得 Dre sslhau s 等人 和 Kane 进一步推广到包含 自 旋轨道相互作用. 当考虑 Ⅲ Ⅴ族化合物半导体有效 到较大的导带带阶 ,往往利用 In GaA s 系列材料带 质量方程时 ,常把导带底和价带顶的状态一起看成 阶的一些特点 ,通过增加 In 组分和利用变形势来提 简并态 ,采用简并的 k ·p 微扰方法进行处理 ,这样 升导带带阶. 文献 [ 5 ] 就是对重掺杂量子阱 In0 . 84 可以讨论导带和价带的耦合即空穴对导带电子的影 Ga0 . 16 A s/ AlA s/ In0 . 52 Ga0 . 4 8 A s 量子阱红外跃迁谱进 ( 行了实验和理论上的研究 ,但理论分析出现了一些 响. 如果把两个导带态和六个空穴态 两个重空穴 ) 明显的