记忆17.pptVIP

数字电子技术基础;第8章 半导体存储器和可编程逻辑器件 ;概述; RAM、SAM和ROM的不同特点， 使得它们有了不同的应用领域。 RAM常用于需要经常随机修改存储单元内容的场合，例如在计算机中用作数据存储器；SAM常用于需要顺序读写存储内容的场合，例如在CPU中用作堆栈(Stack)， 以保存程序断点和寄存器内容；ROM则用于工作时不需要修改存储内容、 断电后不能丢失信息的场合，例如在计算机中用作程序存储器和常数表存储器。; 半导体存储器的详细分类如图8.0所示。其中，固定ROM的内容完全由生产厂家决定，用户无法通过编程更改其内容； PROM为用户可一次性编程的可编程只读存储器(Programmable ROM)； EPROM为用户可多次编程的可(紫外线)擦除可编程只读存储器(Erasable PROM)， 也经常缩写为UVPROM(Ultraviolet Erasable PROM)； E2PROM为用户可多次编程的可电擦除的可编程只读存储器(Electrically Erasable PROM)； Flash Memory为兼有EPROM和E2PROM优点的闪速存储器(简称闪存)，电擦除，可编程，速度快， 编程速度比EPROM快1个数量级， 比E2PROM快3个数量级， 是近20年来ROM家族中的新品；;FIFO 为先入先出存储器(First-In First-Out Memory)， 它按照写入的顺序读出信息； FILO为先入后出存储器(First-In Last-Out Memory)， 它按照写入的逆序读出信息； SRAM为静态随机存取存储器(Static RAM)， 以双稳态触发器存储信息； DRAM为动态随机存取存储器(Dynamic RAM)， 以MOS管栅、 源极间寄生电容存储信息， 因电容器存在放电现象， DRAM必须每隔一定时间(1 ms~2 ms)重新写入存储的信息， 这个过程称为刷新(Refresh)。 双极型电路无DRAM。;图 8.0 半导体存储器的分类;8.1 只读存储器(ROM) ;图8.1.1 ROM的结构 ; 图中地址线经地址译码器译码输出可指定存储矩阵(N×M)中N个可能地址中的一个。而每个地址(字)中又包含有M位，被地址线选中的M位数据由输出缓冲器输出。 n个地址输入线可得到N(=2n)个可能的地址。 存储矩阵(N×M)的大小反映了存储的信息量。其中N反映了位线数，所以对于存储器的存储容量是指存储器中总的存储单元(一位二进制数)的数量。 ; 8.1.2 掩膜ROM 掩膜ROM是通过掩膜工艺制造出的一种固定ROM，用户无法改变内部所存储的信息，它具有性能可靠，大批量生产时成本低等优点。由于在制造时需要开膜，且费用可观，故只有在产品相当成熟且批量很大或长期生产时才考虑使用。 8.1.3 熔丝式ROM(PROM) 熔丝式ROM是由用户用专用的写入器将信息写入。如要将某位写入信息为0，则将该位的熔丝烧断。如要将某位写入信息为1，则将该位的熔丝保留(不烧断)。由于熔丝烧断后不可恢复，故只能写入一次。它在制造时无需开膜，适合小批量生产时选用。; 8.1.4 电可编程ROM(EPROM) 电可编程ROM是由用户用专用的写入器将信息写入器件的。与PROM不同的是，如果要更改内部存储信息，只需将此器件置于紫外线下(对于EPROM)或用电擦除(对于EEPROM)，之后，用户又可将新的信息写入该器件。这种器件使用较方便，但成本略高，适合小批量生产时选用。下面简要介绍EPROM。; 1.EPROM的工作原理 图8.1.2为EPROM内部某位存储单元的结构图。它有一个浮置栅浮置在绝缘的SiO2层中，与四周绝缘，当浮置栅上无电荷时，在控制栅上加一较低开启电压，在漏源之间就能形成一反型沟道，使管子导通，这时对应的信息为1。当浮置栅上有一定量的电荷时，在控制栅上即使加一开启电压，在漏源之间也无法形成一导电沟道，故这时的管子不导通，对应的信息为0。由此可看出，浮置栅上电荷的有无反映了信息的0或1。;图8.1.2 EPROM内部某位存储单元结构; 当EPROM置于强紫外光下曝光时，产生的光电流使所有浮置栅上的电荷返回到衬底，电荷被清除，即所有的信息皆变为1(这一过程大约为15min)。之后，又可将新信息写入。在写入信息时，若要使某位信息为0即对应该位的存储单元内浮置栅需注入电荷，可将该位对应的漏源极间加一定大小的高电压， ;