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第7章 单片机的系统扩展 ;学习目标;7.1 51单片机扩展总线基础; 然而，51单片机的片上资源终归有限，针对某些应用可能需要扩展，如增加存储器容量和输入输出端口数量，增加ADC和DAC等。 ; MCS—51 P2，P0 RD WR ; 为减少引脚数量，扩展总线中的数据总线和地址总线低8位采用了分时复用技术，即P0口分时传送地址总线信号的低8位（A0-A7）和数据总线信号（D0-D7）.;从P0口中分离出地址总线低8位地址信号 一般采用外接一个锁存器的方法来实现。;51系列单片机的扩展总线信号包括： 地址总线信号 A0-A15； 数据总线信号 D0-D7； 控制总线信号 ALE、EA、PSEN、RD 和WR.; ;1.访问外部程序存储器模式 2.访问外部数据存储器或数据端口模式(读XRAM) 3.访问外部数据存储器或数据端口模式(写XRAM);访问外部程序存储器模式;;;所谓地址空间分配是把64KB的寻址空间通过地址译码的方法分成若干个页面，不同的存储器芯片占用不同的页面，I/O端口与存储器芯片一般也占用不同的页面。;低位地址线用来选择页内单元，称为页内地址；高位地址线用于选择页面，称为选页（片）地址。;地址译码时，选页地址用于产生页面选择信号，页内地址用于产生页内单元选择信号。;I/O端口扩展时要直接产生端口选择信号。;;1.全地址译码 所有的地址线都参与译码，每个存储单元或端口与一个确定的地址一一对应。;例：若页面的大小为8KB，64KB的存储空间分成8页，则页内地址应为13位，即A0-A12；其余地址为选页地址，即 A13-A15，全地址译码要求所有选页地址都参与选页译码，产生8个页面选择信号。;2. 部分地址译码 只有部分地址参与译码，一个存储单元或端口与多个地址对应。 ;3. 线选译码 线选译码是部分地址译码的特殊形式，即直接用地址线来选通存储器芯片或端口，一个存储单元或端口与多个地址对应。; 例如，不用译码电路，仅用高位地址线就可以把64KB的存储空间划分为不同的区域。 ;地址空间分配 总线驱动能力 电平的匹配 控制时序和逻辑的匹配 速度的协调 状态信号的处理 ;51系列单片机采用总线扩展方式可以实现： 存储器扩展； 输入/输出端口扩展； 功能部件（如定时器、计数器、键盘、显示器等）的扩展； A/D和的D/A扩展；;7.2 51单片机存储器的扩展 7.2.1 存储器基础知识 7.2.2 程序存储器的扩展 7.2.3 数据存储器的扩展 7.2.4 存储器综合扩展举例;1.半导体存储器的分类 ;2.常用EPROM介绍;;EPROM芯片引脚图 ( 2764 );3.常用SRAM介绍 ( 6264 );;SRAM芯片引脚图 ( 6264 );3.EEPROM简介;程序存储器的扩展主要考虑以下几个问题： 地址线的连接 数据线的连接 控制信号的连接 译码电路的设计;例7-1 若单片机为8031，试采用2764扩展8KB的程序存储器。;例7-2 若单片机为8031,试采用2764扩展32KB的程序存储器。; 扩展外部数据存储器与扩展外部程序存储器的设计方法基本一样，但所用的控制信号不同，片外数据存储器的读/写由单片机的 RD (P3.7)和 WR (P3.6)信号控制，而读片外程序存储器的信号为 PSEN.;例7-4 若单片机为8031，试采用SRAM芯片把外部数据存储器扩展为32KB。 分析：由于没有指定SRAM的具体型号，外部数据存储器扩展为32KB有多种设计方案。 方案一：62256 的存储容量为32KB，可以采用1片62256来设计。 方案二：62128的存储容量为16KB，可以采用2片62128来设计。 方案三：6264的存储容量为8KB，可以用4片6264来设计。 方案四：6116的存储容量为2KB，可以用16片6116来设计 方案五：可以用1片62128和2片6264来设计。 方案六：可以用1片62128和8片6264来设计。 采用大容量的SRAM芯片会使使用的芯片数量减少，译码电路的复杂性降低，从而提高电路的可靠性。因此方案一和方案二是比较合理的设计方案。 ;例7-4 采用一片62256扩展32KB外部数据存储器。;;例7-5 若单片机为8031，请用1片2764扩展8KB程序存储器,用1片62256扩展32KB外部数据存储器。 ;;;;7.3 51单片机并行I／O端口的扩展 7.3.1 简单I/O端口扩展 7.3.2 采用专用芯片扩展I/O端口 7.3.3 采用串