控制工程论文库.docVIP

　　控制工程论文库 Abstract:This article reviee control techniques for high-voltage popha-sized analysis and prospect are focused on high-energy H+and He2+irradiation,the axial lifetime control techniques aremost possible to promote great improvement and progress of poiconductor; semiconductor device/lifetime control technique; light ion irradiation 摘要:控制工程论文对应用于高压功率器件的寿命控制技术进行了述评。着重分析了高能H+辐照、He2+辐照等局域寿命控制技术,利用这种技术有可能实现高压功率器件突破性的进展。 关键词:半导体;半导体元器件/寿命控制技术;轻离子辐照 1　引　言 高压功率半导体器件用于高压功率电路可实现电能的高效率传输、转换及其过程控制,因此广泛应用在工业、商用、民用、航空和军事等方面。其发展可分为以下里程:在20世纪60年代,广泛使用的高压功率器件是双极晶体管和晶闸管;70年代,由于精细线条加工工艺的发展使制造GTO成为可能,这种器件于80年代早期已被广泛应用,同时,功率MOSFET也取得了很大的发展;80年代中期,IGBT研制成功,它具有单极MOSFET工作频率高和双极晶体管通态压降低的优点,对推动了功率电子技术的发展,起到了变革性的作用;90年代早期,智能功率模块(IPM)研制成功,它将驱动电路和电流、电压传感电路等集成在一块功率芯片上,是今后研究的热点,具有很大的市场潜力。目前,电流处理能力可达数千安,耐压可达数千伏乃至近万伏的高压功率分立器件有IGBT功率模块、GTO和晶闸管。在实际使用中,这些器件都必须并联快恢复二极管(高压领域采用P-i-N二极管),用以续流或抑制过压。在应用时器件自身的功耗是最重要的参数。器件的功耗分为:①导通状态下的通态功耗;②开关过渡过程中的开关功耗。前者由通态压降决定,是低频工作时的主要功耗;后者 由开关时间决定,是高频工作时的主要功耗。导通状态下,由于基区高度电导调制,因而器件的通态功耗很低,可达到很高的额定电流和额定功率。然而在反向关断时必须全部抽出及复合导通时积累的大量少数载流子,由于复合过程较长,使得器件不能迅速关断。总的来说,注入的少数载流子的浓度越高,器件的通态压降、通态损耗越小,但开关时间、开关损耗越大,因此二者之间存在着折衷。实现半导体功率器件通态性能与开关性能折衷的技术可归为两大类:阳极发射效率控制技术和寿命控制技术,在器件的制造中往往两者结合使用。以下着重论述寿命控制技术。 2　寿命控制技术 寿命控制技术的原理是向器件内部引入空间分布适当的复合中心,以有效减小少子寿命,提高器件开关速度。对复合中心的研究主要集中在复合中心的能级位置ET,电子俘获系数Cn,空穴俘获系数Cp,退火温度等方面。现有用于高压功率器件的寿命控制技术分为传统寿命控制技术(扩金、扩铂、电子辐照)和局域寿命控制技术(H+,He2+等轻离子辐照)。引入的复合中心能级位置如表1所示。Baliga利用Shockley-Read-Hall复合模型推导得出复合中心能级位置与不同注入电平下少子寿命之比关系的一组公式[2]。利用这组公式,可得到计算结果:二极管的漏电流随复合中心能级趋近于禁带中央而急剧增大,因此主复合中心能级位置靠近禁带中央的硅器件在高温(gt;100℃)时的漏电流会很大。如扩铂制成的器件在高达170℃下仍能稳定 工作(其主复合中心能级位置在Ec-0.23 eV,远离禁带中央),而扩金器件的漏电流在100℃时会比扩铂器件大一个数量级左右,高温时已不能稳定工作(其主复合中心能级位置在Ec-0.55 eV,处于禁带中央)。要求功率器件能在很宽的温度范围内稳定工作就必须在复合中心能级位置远离禁带中央的条件下对通态功耗与开关功耗等性能进行折衷。 3　传统寿命控制技术 传统寿命控制技术主要有扩散贵金属(扩金和扩铂)和电子辐照两种。这两种技术都是在整个器件中大范围地引入复合中心,通过控制引入复合中心的浓度来调节器件通态功耗与开关功耗的折衷。 3.1　贵金属掺杂贵金属原子通过硅表面向器件内部扩散形成点缺陷,缺陷的形式有:间隙原子缺陷和替位原子缺陷。这里着重介绍替位原子缺陷。替位原子缺陷是贵金属原子将硅原子踢出(Kick out)并取代其位置,这种缺陷是电活性的,是有效的复合中心。贵金属原子通过Kick Out扩散机制在硅中引入复合中心的过程是:扩散之初,金属原子以间隙