有机高分子与无机半导体纳米材料电子显微学研究.docVIP

　　有机高分子与无机半导体纳米材料电子显微学研究 第一章绪论 1.1纳米材料概述 著名的诺贝尔化学奖获得者Feymnan[l]在20世纪60年代曾预言，如果人类能够对物体微小规模上的排列加以某种控制的话，人们就能使物体得到大量的异乎寻常的特性，就会看到材料的性能产生丰富的变化，同时将会有许多激动人心的新发现，他所说的材料就是现在的纳米材料。纳米材料是近年来科学上的一项重大发现，已经成为当今许多学科研究的热点[2-4]。通常材料尺寸的减小，不会引起材料性质的变化，但是，近代科学研究发现，当材料尺寸减小达到临界尺寸时，在室温条件下，某些理化性质会发生突变，呈现出与原来物体性质差异甚大的特性，并且这个临界尺寸多数处于l00nm之内，因此一般把小于100nm的材料称为纳米材料。1992年国际纳米材料会议对纳米材料做了一下定义：一相任一维的尺寸达到100nm以下的材料称为纳米材料。纳米材料不仅是纳米科学技术发展的重要基础，同时也是纳米技术应用的基础，它对人们研究固体材料的本质结构性能具有十分重要的价值，被科学家誉为21世界最有前途的材料，其相应发展起来的纳米技术被公认为是21世纪最具有前途的科研领域。纳米材料又配备了选区电子衍射装置[59]。上世纪70年代，X-射线能谱仪和电子能量损失谱仪的相继应用，使透射电子显微镜能在微米区域内对材料进行组织、结构与成分三位一体对应的研究。高分辨电子显微术、会聚束衍射、微/纳米衍射技术的发展，使透射电子显微镜成为高空间、高分辨的分析电子显微镜。可以说，正是因为有了透射电子显微镜，才有了今天材料科学突飞猛进的发展。从研制成功电子显微镜到今天的80多年中，电子显微技术经历了三个标志性阶段：第一阶段是20世纪50-60年代的衍衬成像阶段，对厚度为几百纳米的薄晶体中的缺陷进行观察，形成了透射电子显微学(Transmission electron microscopy，TEM)；第二阶段是70年代兴起的对厚度约为10 nm的极薄晶体进行高分辨结构像和原子像的直接观察阶段，形成了高分辨电子显微学(High-resolution electron microscopy, HRTEM)；第三阶段是80年代以后发展起来的对纳米尺寸区域结构（直至元素化学键合状态）和成分的微小变化，进行研究和分析的高空间分辨率分析电子显微学(High spatial resolution analytical electron microscopy, HSRAME)阶段。 第二章基本理论及研究方法 2.1高分辨电子显微学 阿贝成像原理指出，显微镜的分辨率极限约为所用光波波长的一半。100kV加速电压下电子波长为0.037 A，远远小于原子的尺寸，因此，100kV下在电镜上观察原子尺寸的结构细节应该没有问题，但是由于衍射像差、磁透镜各种像差特别是球差的影响，再加上电气与机械稳定性等原因，电镜的分辨率还是有一定的局限性。衍射是衍衬成像的基础，也是高分辨成像的基础。高分辨电子显微学及其技术提供了一种直接观察晶体结构的途径。高分辨像是让物镜后焦面的透射束和若干衍射束同时通过物镜光阑，由于各束的相干作用而形成的相位衬度像。参加成像的衍射束的数量不同，会得到不同名称的高分辨图像，如晶格像和晶体结构像。参与成像的衍射束越多，像的细节越丰富，像越清晰，得到的晶体结构也愈丰富。 2. 2球差校正的高分辨透射电子显微学 配有球差校正器的透射电镜有两个优点：第一，可消除衬度离位效应[62]。衬度离位效应会影响电镜的点分辨率[62]。图2.2(a)和(b)分别为配有球差校正器的场发射扫描透射电镜的相位衬度传递函数和硅的[112]晶带轴的球差校正高分辨原子图像[62]。由图2.2(a)可以看出，电镜的空间分辨率由点分辨率延伸到了信息分辨率(约为0.8 A)。这可为在原子尺度上获得材料的三维结构信息如位错核和晶界结构，在半导体材料中的单个掺杂原子表征方面都提供了强有力的技术支持。图2.2(b)是从实验获得的桂的[112]带轴的球差校正后的高分辨原子图像，从中可以清楚的看到吸铃状的原子。经测量，其间距为0.78 A。 .. 第三章髙分子聚合物纳米材料的电子显微学........30 3.1引言.......30 3.2实验.......31 3.3结果与讨论.......34 3.4 小结.......41 第四章氧化镓纳米结构的电子显微学.......43 4.1引言.......43 4.2 p-Ga203纳米材料的制备.......44 4.2.1实验过程.......44 4.2.2实验产物及表征方法.......45 4.3结果与讨论45 4.4小结.......56 第五章InGaAs纳米线的电子显微学.......58 5.1引言.......58 5.