非真空坩埚下降法生长csi(tl)晶体的闪烁性能 scintillation properties of csi(tl) crystals grown with bridgman method under non-vacuum condition.pdfVIP

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2017-08-01 发布于上海
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非真空坩埚下降法生长csi(tl)晶体的闪烁性能 scintillation properties of csi(tl) crystals grown with bridgman method under non-vacuum condition.pdf

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非真空坩埚下降法生长csi(tl)晶体的闪烁性能 scintillation properties of csi(tl) crystals grown with bridgman method under non-vacuum condition

第卷第期核电子学与探测技术 26 4 Vol.26 No.4 2006年 7月 Nuclear ElectronicS Detection Technolo Jul 2006 gy y 非真空坩埚下降法生长 ! 晶体的闪烁性能 CSI Tl 任国浩!陈晓峰!薛炫萍!李中波!沈勇!陆晟 C 中国科学院上海硅酸盐研究所上海 201800 摘要#研究了用非真空铂坩埚下降法生长的 C 晶体的在紫外和射线激发下的光致发光和 CSI Tl 7 光衰减特征探索了 C 晶体的发光强度和发光不均匀性与离子含量和分布之间的关系以及改 CSI Tl Tl 善晶体发光均匀性的措施并对 C 晶体在射线辐照下光输出随积分时间和辐照剂量的变化做 CSI Tl 7 了分析和讨论实验表明用这种方法所生长的 C 晶体的发射波长~ 衰减时间和辐照硬度与其他 CSI Tl 方法生长的同类晶体相同关键词# C 晶体;光输出; 离子; 非均匀性;辐照硬度 CSI Tl Tl 中图分类号# 文献标识码# 文章编号# C TL812.1 A 0258-0934 2006 04-0385-05 C 晶体是公认的杰出闪烁晶体之一分布从而大大提高晶体的发光均匀性提拉出 CSI Tl 由于其光输出达到 C 的光谱分布的 C 晶体直径达以上重达 NaI Tl 40 CSI Tl 30cm 从蓝光到红光区发光主峰C 550nm 能与硅光 200kg 三是由乌克兰科学家 ZaSlavSky 发明电二极管很好地匹配从而使读出系统大为简的将金属钛和铝分别掺入 C 熔体中使