总剂量辐照前后cmos器件阈电压变化的统计分析 statistical analysis of threshold voltage changes of cmos devices before and after total dose irradiation.pdfVIP

第29 卷 第9 期 核 技 术 Vol. 29, No.9 2006 年9 月 NUCLEAR TECHNIQUES September 2006 总剂量辐照前后CMOS 器件 阈电压变化的统计分析 1,2 1 1 1,2 1,2 1,2 李爱武 余学峰 任迪远 汪 东 匡治兵 刘 刚 1 （中国科学院新疆理化技术研究所 乌鲁木齐 830011 ） 2 （中国科学院研究生院 北京 100049 ） 摘要 本文采用统计分析的方法对大样本互补型金属-氧化物-半导体器件（CMOS ）CC4069 电路辐照前后的 数据进行了处理。比较了研究变量的晶体管阈电压值在辐照前和累积一定辐照剂量后的标准差及统计分布， 研究了样品阈电压漂移值的分布规律，由此对应用于航天系统的电子元器件进行有关辐射可靠性筛选的必要 性进行了探讨。 关键词 互补型金属-氧化物-半导体（CMOS ）器件，总剂量辐照，阈电压，统计 中图分类号 TN432 信息技术和国防科学技术的飞速发展使得应用 4 rad(Si)之前辐照剂量率为 55 rad(Si)/s、之后为 10 到星上的半导体集成电路越来越多，然而工作在空 243 rad(Si)/s 。辐照时按照美军标MIL-M-38510 规 间环境中的电子元器件由于受到太空辐射的作用， 定的有关该电路总剂量辐照的最劣偏置加偏, 具体 其功能和电参数会发生变化，严重时导致失效。已 加偏条件为：电源端 V =10 V ，地端V =0 V ，输 CC SS 有大量研究表明，不同厂家、不同工艺，甚至同一 入端 V =10 V ，输出端浮空。 in 厂家、同一工艺、不同批次生产的器件，其对总剂 测试系统为中国科学院新疆理化技术研究所辐 量辐射的响应都存在差异[1] 。那么，由同一厂家、 射效应测试系统，采用美军标MIL-M-38510 规定的 同一工艺生产的同一批次器件，对总剂量辐射的响 10 μA 恒流注入测试法测阈电压 V 、V ，同时测试 tn tp 应是否存在差异呢？如果有的话，差异会有多大？ 所有输入端为高电平(V = V =10V ，V =0 V) 时的 in CC SS 对器件的性能又有何种程度的影响？国内外对此的 静态功耗电流 ISS(H) 、所有输入端为低电平 报导并不多见。 (V = V =0 V，V =1