最佳缓冲层下微晶硅薄膜pin型太阳电池的数值模拟 numerical simulation of solar cells based onμc-sih thin films under the best buffer layers.pdfVIP

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2017-08-01 发布于上海
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最佳缓冲层下微晶硅薄膜pin型太阳电池的数值模拟 numerical simulation of solar cells based onμc-sih thin films under the best buffer layers.pdf

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最佳缓冲层下微晶硅薄膜pin型太阳电池的数值模拟 numerical simulation of solar cells based onμc-sih thin films under the best buffer layers

0254-0096(2011)10-1450-05 最佳缓冲层下微晶硅薄膜pin型太阳电池的数值模拟张伟丽卢景霄王志永陈永生郜小勇杨仕娥谷锦华郑州大学物理工程学院，教育部重点材料物理实验室，郑州450052 摘要：运用由美国宾州大学开发的AMPS-1D计算机模拟软件，模拟了在最佳缓冲层和无缓冲层的情况下，太阳电池的各性能参数随本征层厚度的变化、太阳电池的J-V特性和量子效率以及不同晶化率的本征活性层对太阳电池各性能参数和量子效率的影响。模拟结果表明：在最佳缓冲层100nm时，太阳电池的各性能参数比无缓冲层时有所提高；随着本征层晶化率Xc的增大，太阳电池的量子效率QE在长波段有明显提高；本征层晶化率高的太阳电池，具有较高的短路电流.Jsc，低的开路电压Voc、转换效率Eff和填充因子FF。太阳电池；p／i界面缓冲层；AMPS-1D;J-V特性；量子效率QE;晶化率Xc TM914.4 A 2009-10-29 国家重点基础研究发展(973)计划(2006CB202601) 卢景霄(1942-)，男，教授、博士生导师，主要从事太阳电池方面的研究。jxlu@zzu.edu.cn 1451 1452 1453 @@[3] GrafU,MeierJ,KrollU,etal.Highrategrowthof microcrystallinesiliconbyVHF-GDathighpressure[J]. ThinSolidFilms,2003,427(1-2):37-40. @@[4] MatsudaA.Formationkineticsandcontrolofmicrocrys talliteinμc-Si:Hfromglowdischargeplasma[J].Jour nalofNon-CrystallineSolids,1983,(59-60)(Part2): 767. @@[5] 韩晓艳，侯国付，李贵君，等.低速p/i界面缓冲层对高速沉积微晶硅太阳电池性能的影响[J].物理学报， 2008,57(8):5284-5289. HanXiaoyan,HouGuofu,LiGuijun,etal.Influenceof lowratep/iinterface