X波段MEMS分布式移相器开关机电性能研究.pdfVIP

x波段MEMS分布式移相器开关机电性能研究 张晓升1，鲍景富1，杜亦佳1，李仁锋2 621900) (1．电子科技大学电子工程学院，四川成都611731；2．中国工程物理研究院，四川绵阳 摘 要：介绍一种应用于X波段MEMS分布式移相器的新型单元开关。MEMS分布式移相器具有高品质因数、低插 损、低功耗扣高隔离度的优点，但由于传统MEMS开关采用固支梁结构，弹性系数过大，下拉电压过高，无法与传统电子系统 相兼容，大大限制了其应用和发展。基于此设计一种新型单元开关，采用弹性弯曲结构取代传统固支粱结构，并在MEMS金 属梁上刻蚀释放孔，极大降低了单元开关的弹性系数，从而实现了超低下拉电压6V。通过理论分析，给出MEMS开关弹性 系数、下拉电压的解析公式，并使用ANSYS进行了仿真分析。 关键词：X波段；射频微机电；分布式移相器；机电耦舍性能 中图分类号：TN911 文献标识码：A 文章编号：1004—373X(2010)13-0001-03 ResearchonEleetro-mechanicalPerformanceofSwitchfor MEMSDistributedPhaser inXBand Working ZHANG Xiao-shen91，BAOJing-ful，DUYi-jial，LIRen-fen92 ofElectronicScienceand of (1．ElectronicsEngineeringCollege，University TechnologyChina，Chengdu611731，China’ 2．China of 621900，China) AcademyEngineeringPhysics，Mianyang Abstract：AnovelswitchusedinX-bandMEMSdistributedshifteriS conventionalMEMSswitches phase presented．The tO have excellent with beamarelimited driven dueits elasticcoefficient some clamped byhigh voltage large thoughthey as loss，low and isolation，．Anovelbasicswitchwhich merits，such factor，low powerconsumptionhigh employs highquality beamis tOdeclinethedriven smallrelease theelastic structureinsteadofconventional bending clampeddesigned voltage．Some holesare intheMEMSbeamtOreducetheelasticcoefficientandachievethelowdriven V)．The