ULSI硅衬底化学机械研磨技术研究.pdfVIP

第28卷增刊 半导体学报 V01．28 Supplement CHINESEJOURNALOF 2007年9月 SEMICONDUCTORS Sep．，2007 ULSI硅衬底化学机械研磨技术研究 周建伟’ 刘玉岭 张 伟 (河北工业大学微电子研究所，天津300130) 摘要：通过对传统硅片研磨加工工艺过程中的问题进行深入研究和分析，总结了影响硅片表面质量的主要影响因 素，提出了将化学机械平整化技术应用到ULSI硅衬底研磨加工的新方法，在研磨加工过程中减少强烈的、单一的 机械作用，增加化学作用．通过实验研究得出了研磨速率提高20％，表面粗糙度降低，有效地降低了硅片表面损伤． 关键词：硅片，CMP；表面活性剂；研磨速率；粗糙度 PACC：6825EEACC：2520M；2550E；8620 中图分类号：TN305．2文献标识码：A 文章编号：0253-4177(2007)SO．0572．02 1 引言 境下，晶片表面可形成溶于水的、易去除的产物；在 磨料的作用下，不断剥离晶片表面，缓和了强烈的机 超大规模集成电路硅衬底成型加工包括切片、 械作用，提高了研磨速率．化学作用均匀地作用于硅 倒角、研磨、精密抛光等工序．在研磨工序使用研磨 片的被加工表面，可使硅片剩余损伤层小，减小了后 机对硅晶片进行双面研磨，研磨被加工的硅晶片时， 续工序加工量，有利于降低生产成本．碱性研磨液对 普遍采用中性的研磨液，研磨液的组分一般包括润 金属有钝化作用，避免研磨液腐蚀设备． 滑剂、水、金刚砂微粉磨料等．研磨机理主要是在磨 适当的表面活性剂可作为分散剂和渗透剂，分 盘的压力和旋转下，通过磨盘的旋转带动研磨液和 散剂可以吸附于固体颗粒表面而产生足够高的位垒 磨料对晶片表面进行机械研磨，去除硅片表面因前 和电垒，不仅阻碍切屑颗粒在新表面的吸附，而且， 道工序造成的损伤层，降低表面应力，实现晶片表面 分散剂与渗透剂共同作用，渗到磨料与晶粒的切口 平整化．在该工序中，研磨液的作用仅仅起到了润 微细裂纹中去，使固体颗粒的表面能或界面张力有 滑、冷却和洗去切屑的作用[1]．在上述研磨工艺中， 明显的降低．表面活性物质在颗粒的表面上的覆盖 去除硅片表面晶粒主要靠磨料的强机械作用．这种 率越大，表面张力降低得越多，则系统的表面吉布斯 加工方式造成硅片表面粗糙、易出现划伤、残余应力 函数越小．因此表面活性物质不仅可自动吸附在颗 大、碎片、崩边等问题，也使后续抛光去除量大，抛光 粒的表面上，而且还可自动地渗入到微细裂缝中去 生产效率低‘21． 并能向深处扩展，形成化学能的劈裂作用，在这种劈 mechanical裂力的作用下微裂缝不但无法愈合IS]，而且扩大，便 化学机械平整化(chemical polis． 于磨屑脱离基体，提高研磨效率． hing，CMP)技术是超大规模集成电路(ULSI)多层 布线平整工艺的唯一有效方法[3一]，目前主要应用 渗透剂兼有润滑剂的作用，能极大地降低研磨 于精密抛光及后续工序． 液的表面张力，使本研磨液具有良好的渗透性，使研 为了解决上述问题，本文采取了增强研磨过程 磨液很容易渗透到磨料与硅片之间，具有减小磨料、 的化