模电第一章总结论文..docVIP

第一章 常用半导体元件 一 半导体 1 半导体三大特性 搀杂特性 热敏特性 光敏特性 2本征半导体 指纯净的具有晶体结构的半导体。 3载流子(Carrier) 运动电荷的粒子。 有温度环境就有载流子。 绝对零度（-273C）时晶体中无自由电子。 4本征激发 （光照、加温度）会成对产生自由电子和空穴对 自由电子（负电） 空穴（正电） 本征半导体载流子浓度为：ni=pi=K1T^(3/2)e^(-EGO/2kT) ni表示自由电子的浓度 pi表示空穴的浓度 5 N型半导体：电子型半导体（掺入五价元素，如磷） 多数载流子：自由电子 少数载流子：空 穴 自由电子数= 空穴数 + 施主原子 6 P型半导体：空穴型半导体（掺入三价元素，如硅） 多子：空 穴 少子：自由电子 空 穴 数 = 自由电子数 + 受主原子 二 PN结 1 PN结 是指使用半导体工艺使N型和P型半导体结合处所形成的特殊结构。 PN结具有单向导电性。 空间电荷区（耗尽层）P区出现负离子区，N区出现正离子曲 2 PN结形成“三步曲” （1）多数载流子的 扩散运动。 （2）空间电荷区的少数载流子的 漂移运动。 （3）扩散运动与漂移运动的 动态平衡。 3 PN结的单向导电性 正向偏置 P接电源正，N接电源负 削弱内电场，使 PN结变窄。 扩散运动＞漂移运动。 称为“正向导通”。 反向偏置 P接电源负，N接电源正 增强内电场，使PN结变宽。 扩散运动＜漂移运动 称为“反向截止” 5 PN结伏安特性 单向导电性 正向导通 开启电压 反向截止 饱和电流 7 反向击穿 当对PN结的外加反向电压超过一定的限度，反向电流急剧增加，称之为反向击穿。 击穿有两种机理： 雪崩击穿低掺杂，耗尽层宽度较宽（少子，加速） 齐纳击穿高掺杂，耗尽层宽度较窄（强电场破坏共价键） 8 PN结电容特性 PN结呈现电容效应 有两种电容效应 势垒电容 （和反向偏置有关）CT PN结外加反向偏置时，引起空间电荷区体积的变化（相当电容的极板间距变化和电荷量的变化） 扩散电容 （和正向偏置有关）CD PN结外加正向偏置时，引起扩散浓度梯度变化 出现的电容（电荷）效应。 三 一 二极管是由管芯(PN结)加电极引线和管壳制成。 平面型二极管： 面接触型二极管：适合整流，低频应用(结电容大) 点接触型二极管 ：可高频应用(结电容小) 1 主要参数 最大整流电流IF 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。 最高反向工作电压UR 指工作时允许所加最大反向电压。（通常取击穿电压 UBR 的一半） 反向电流IR 指是指未击穿时的反向电流。（此值越小表示管子单向导电性能越好） 最高工作频率fm 二极管工作的上限截止频率。 直流电阻和交流电阻 直流电阻 R 是二极管所加直流电压V与所流过直流电流I之比。 交流电阻 r 是其工作状态(I,V)处电压改变量与电流改变量之比。几何意义是曲线Q点处切线斜率的倒数。 二 稳压二极管及稳压电路 二 稳压二极管主要参数 稳压电压UZ 在规定电流下稳压管的反向击穿电压。 稳定电流Iz 稳压管工作在稳压状态下时的参考电流。工作电流小于此值时稳压效果变坏，故常将Iz记作IZmin。 额定功耗Pzm 稳压电压UZ与最大稳定电流Izm的乘积。 动态电阻rz 在稳压区，端电压变化量与电流变化量的比值。（越小越好）。 温度系数 ( 指温度每变化1℃稳压值的变化量。 ＞7V是正温系数(雪崩击穿)； ＜4V是负温系数(齐纳击穿)； 4～7V温度系数最小。 稳压电路 四 晶体三极管 一 晶体三极管也叫半导体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管。 二 晶体管的电流放大作用 该基本放大器是共发射放大电路 三 晶体管电流分配关系 四 共射电流放大系数 一般情况下 所以 共射交流放大系数 若穿透电流可以忽略不计，则在｜△iB｜不太大情况下，可以认为 五 共射特性曲线 一 输入特性曲线（图） 二 输出特性曲线（图） 截止区 发射结电压小于开启电压且集电结反偏。 UBE≤UON且UCE＞UBE IB=0 放大区 发射结 正偏，集电结 反偏 。 UBE＞UON且UCE≥UBE Ic仅与Ib有关而与UCE无关。 饱和区 发射结和集电结均为正偏。 UBE＞UON且UCE＜UBE 三 管子参数 1 电流放大参数 共基直流电流放大参数 共射，共集直流电流放大参数