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CMOS模拟集成电路第12章—开关电容电路

CMOS模拟集成电路设计 开关电容电路 提纲 1、概述 2、采样开关 3、开关电容放大器 4、开关电容积分器 1、概述 CMOS连续时间反馈放大器的问题 CMOS连续时间反馈放大器的问题(续) 开关电容电路 开关电容电路 2、采样开关和电容 2.1 MOSFET开关 2.1 MOSFET开关 2.2 速度问题 2.2 速度问题(续) 2.2 速度问题(续) 2.3 精度问题 2.3 精度问题(续) 2.3 精度问题(续) 2.4 电荷注入抵消 2.4 电荷注入抵消(续) 2.5 采样电容 3、开关电容放大器 3.1 单位增益采样/缓冲器 3.1 单位增益采样/缓冲器(续) 3.1 单位增益采样/缓冲器(续) 3.1 单位增益采样/缓冲器(续) 3.1 单位增益采样/缓冲器(续) 3.1 单位增益采样/缓冲器(续) 3.2 同相放大器 3.2 同相放大器 3.2 同相放大器 3.2 同相放大器(续) 3.2 同相放大器(续) 3.3 精确乘2电路 4、开关电容积分器 连续时间积分器 开关电容积分器 开关电容积分器(续) 小结 1、采样开关 沟道电荷注入 时钟馈通 2、采样电容 下极板采样 3、开关电容放大器 原理; 采样-放大的开关顺序?消除电荷注入 4、开关电容积分器 原理; 开关电容?电阻 开关电容积分器 对寄生参数不敏感的开关电容积分器 采样模式: S1,S3闭合,S2和S4断开 采样→积分 向积分模式转换: S3先断开→ S1断开 → S2和S4导通 S3先被断开,s1,s2的电荷注入不会影响电路; S3,s4的非线性电容的两端电压变化近似为0,因此寄生的非线性电容影响和小 小结 为了确定X点的偏置,增加一个大的反馈电阻。 Sc放大器经历两个阶段:采样阶段和放大阶段 与vin有关:增益误差;其它项:失调误差;非线性:考虑衬偏 精度问题对mos开关的要求和速度问题的要求是相反的。 不能很精确地抑制电荷注入。 电荷守恒 S2的注入电荷q2与输入无关,是常数,不会产生增益误差和非线性。 采用适当时序,可以避免电荷注入 CH上的电荷为CHV0,注入电荷不会影响采样得到的电荷。 为了增加Av,往往会增加了输入电容。 R0是运放的开环输出电阻。 考虑传输函数,由传输函数得到时间常数。 采样瞬间由S2决定 时间常数与单位增益采样器的一致:Cin换成Cin+C1 采样用2C,放大时用C 时间常数与单位增益采样器的一致:Cin换成Cin+C1 S1和S2为MOS开关 S1和S2为MOS开关 S3先被断开,s1,s2的电荷注入不会影响电路。 * 提纲 概述 CMOS放大器为了有较大增益,需要有很大的开环输出电阻 闭环增益不精确 概述 采用电容代替反馈电阻 电路呈现高通传输特性,所以不适合放大宽带信号 只有当ω(RFC2)-1时,AV≈-C1/C2 概述 采样阶段(a): S1,S2闭合,S3断开,C1上存储的电荷为VinC1 放大阶段(b): S1,S2断开,S3闭合,通过C2上的负反馈,C1上的电荷转到C2上, Vout=VinC1/C2 (b) 负反馈 0 概述 特点: 采样 放大阶段仅对采样电压放大器 状态的转换,导致电路的稳定性问题 优点: Vout达到稳定后,通过C2的电流接近0,即稳定后反馈电容不会降低放大器的开环增益; 电容更易实现; 开关电容放大器在CMOS工艺中更容易实现;CMOS工艺具有简单开关和高输入阻抗,使得其成为数据采样应用的主要选择。 采样开关 电压传输 MOS开关可以双向传输 可以“跟踪”和“冻结”信号 (“零失调”开关) MOS开关大部分时间工作在线性区,等效一个电阻 Vin的最高电压等于VDD-VTH t=t0时,饱和区 当Vout≤VDD-VTH时,线性区 线性区 采样开关 Vin的最高电压等于VDD-VTH 当Vout趋进VDD-VTH时,M1趋于截止。 采样开关 采样速度的决定因素 采样电容:小的采样电容可以提高采样速度 开关的导通电阻 采样开关 采样速度的决定因素 采样电容 开关的导通电阻 输入电平的影响 Nmos:输入接近VDD-VTHN时,Ron→∞ Pmos:输入接近|VTHP|时,Ron→∞ 采样开关 CMOS互补开关 保证同时断开 采样开关 沟道电荷注入 导通时,沟道中的电荷Qch会在关断后通过S和D端流出。 粗略地,假设一半电荷注入到CH上, 再考虑体效应的非线性,沟道电荷注入将导致三种误差: 增益误差;直流失调;非线性 Vout 采样开关 时钟馈通 时钟信号通过交叠电容耦合到采样电容上。 采样开关 kT/C噪声 采样开关 方法一:“虚拟”开关 可以抑制电荷注入,但不精确, 此时,也可以抑制时钟馈通 粗略地,假设一半电荷注入到CH上, 得到,W2=0.5W1,

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