电容型电流互感器现场介损测量方法分析.docVIP

　　电容型电流互感器现场介损测量方法分析|第1 摘　要：通过对正、反两种接线方法对电容型电流互感器的绝缘介质损耗因数的测量理论与实践分析，提出在实际测量中减少工作量、提高工作效率的测量方法。 　　关键词：电容型电流互感器；介质损耗因数；测量 　　Abstract:Through theoretical and practical analyses on dielectric dissipation factor measuring methods of capacitive current transformer odes, the authors propose an onsite measuring method, inish the er;dielectric dissipation factor;measure 0引言 　　在高压试验中，介质损耗因数tgδ是一个重要测试项目，它是表征绝缘介质在电场作用下由于电导及极化的滞后效应等引起的能量损耗，是评定设备绝缘是否受潮的重要参数，同时对存在严重局部放电或绝缘油劣化等也有反应。在对多种电气设备的绝缘判定中都涉及到这一参数，但不同的设备所使用的测试方法也不相同，同一设备也会有多种方法可以利用，要根据现场的实际情况和试验具体要求使用正确的测试手段以得到准确依据。1设备概况 1.1设备结构 　　电容型电流互感器（以下简称电容型TA）是电容均匀分布的油浸纸绝缘产品，其内部结构是采用10层以上同心圆形电容屏围成的U形，其中，各相邻电屏间绝缘厚度彼此相等，且电容屏端部长度从里往外成台阶状排列,最外层有末屏引出。由于其一次回路轴向及径向电场分布均匀，主绝缘结构合理并得到充分的利用，因此电容型TA的整体结构非常紧凑。 1.2设备运行情况 　　目前，保定供电公司在网运行220 kV电容型TA153台相，110 kV777台相（不含涿州220 kV站、富昌屯110 kV站），自20世纪80年代至今一直用反接线测试电容型TA的tanδ及电容量，这主要是因为反接线的试验接线较简便，并且测试数据有历史可比性。但经过多年的测试发现正接线更能有效地发现电容型TA的绝缘缺陷，同时可以不拆TA的高压引线直接进行测量。 2理论分析 2.1两种方法比较 2.1.1电桥反接线测量 　　采用该方法可测量一次对其它的tanδ及电容量，接线图如图1所示。 500)this.style.ouseg(this) 　　反接线法是目前现场试验使用的方法，该方法接线简单，但只能测出TA整体绝缘状况，它所测的是一次对末屏、二次及地的tanδ，不能反映缺陷的具体部位。 　　反接线法测出的tanδ和电容值是C1与C2、C3的并联值，对并联结构可以将介质等效为电阻与无损电容并联而成，其原理如图2所示。500)this.style.ouseg(this) 　　按tgδ的定义可求出： 　　500)this.style.ouseg(this) 　　由式（1）、式（2）可推出： 　　500)this.style.ouseg(this) 　　同理，当n组并联时： 　　500)this.style.ouseg(this) 　　从上式可以得出：并联结构的绝缘良好时，反接线实测tanδ能反映电容量较大的试品的真实tanδ，如果存在局部绝缘缺陷，往往不能由实测tanδ反映出来；而对于较小容量试品一、二次绕组间的绝缘缺陷也可能受周围物体的影响而被掩盖。 　　由于电容型TA一次对末屏的电容量C1远大于C2与C3，当设备绝缘良好时，实测结果可近似表示为一次主绝缘的tanδ；当有受潮缺陷时，不能表明是主绝缘受潮还是末屏受潮，仍然要用正接线测量一次对末屏tanδ，用反接线测量末屏对地的tanδ。 2.1.2正接线测量 　　采用正接线法可测量一次绕组对末屏的tanδ及电容量，接线图如图3所示。500)this.style.ouseg(this) 　　从图3可看出正接线的测试是一次绕组加压，末屏接Cx线，由于测量臂阻抗比C2、C3、C4、C5的阻抗小得多，所以主要测量的是一次电容屏间的tanδ及电容，C2、C3、C4、C5对被测的C1基本没有影响，能真实反映一次主绝缘状况。对末屏可以通过测量其绝缘电阻来检测绝缘状况。 　　另外，值得一提的是用正接线测量主绝缘的tanδ及电容可以不拆TA与开关、刀闸的连接线，只要在测试时保证开关处于分闸位，刀闸侧不挂地线即可。这样可以减小检修班组的工作量，增加安全系数。 2.2外界因素对两种试验方法影响的比较 2.2.1高压引线的影响 　　反接线测量时高压端及引线的对地杂散电容与被试品并联，会带来测量误差，对于电容量只有几百皮法的电容型TA主绝缘来说，测量误差相对较大。 　　正接线测量时高压端及