烧结熔融氧化硅制备含有结晶SiO2成型体.docVIP

烧结熔融氧化硅制备含有结晶SiO2的成型体 摘要 摘要 为了简单且快速制备含有熔融氧化硅的成型体，以及即使在高温下熔体与成型体接触也基本上不会导致熔体污染的成型体，本发明提供一种方法和含有至少99.0mol％SiO2的成型体，该方法包括以下步骤：a)提供基本上为无定形SiO2颗粒形态的熔融氧化硅，其中不超过5％具有大于15mm的直径，b)向熔融氧化硅颗粒中加入水以制备粉浆，c)将粉浆浇注到包含具有与待制备成型体相反形状的中空体的模具中，d)干燥粉浆得到中间体，e)在烧结温度下烧结中间体，在该烧结温度下至少部分熔融氧化硅由无定形变体转变为结晶变体，f)将烧结成型体冷却至300℃以下的温度，从而形成含有结晶SiO2的显微组织。 标题发明人: M·博伦斯 (); K·冯 韦斯特恩哈根 (); S·梅罗拉 (); G·瓦泽姆 (); S·波斯特拉赫 (); 公司: () 通信地址: 德国美因茨 申请号: CN200810215450.7 申请日: 2008-01-22 优先数据: 分类审查员代理权利要求权利要求 1. 制备成型体的方法，其包括以下步骤：　　a)提供基本上为无定形SiO2颗粒形态的熔融氧化硅，其中不超过5％、优选不超过3％、特别优选不超过2％的颗粒具有大于15mm、优选大于10mm，特别优选大于6mm的直径，　　b)向熔融氧化硅颗粒中加入水以制备粉浆，　　c)将粉浆浇注到包含具有与待制备成型体相反形状的中空体的模具中，　　d)干燥粉浆得到中间体，　　e)在烧结温度下烧结中间体，在该烧结温度下至少部分熔融氧化硅由无定形变体转变为结晶变体，尤其是β-方英石，　　f)将烧结成型体冷却至300℃以下，优选270℃以下的温度，从而形成含有结晶SiO2的显微组织。 2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于在步骤a)中使用SiO2含量至少为99.0重量％、优选至少为99.5重量％、特别优选至少为99.9重量％的基本上纯的无定形形态的熔融氧化硅。 3. 根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于在步骤b)中使用基本无碱的水。 4. 根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于在步骤e)中在至少1080℃、优选至少1120℃、更优选至少1140℃、特别优选至少1180℃的温度下烧结中间体。 5. 根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于在步骤e)中的烧结过程中的最大温度为1285℃，特别是在中间体的最大壁厚大于85mm时。 6. 根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于在步骤e)中的烧结过程中的最大温度为1250℃，特别是在中间体的最大壁厚大于85mm时。 7. 成型体，尤其是可以由或已经由权利要求1-6中任一项权利要求所述的方法制备的成型体，其特征在于该成型体含有至少99.0mol％，优选至少99.5mol％，特别优选至少99.9mol％的SiO2。 8. 根据权利要求7所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚度达40mm的成型体外层，在其厚度上具有2体积％-5体积％，优选2.5体积％-4.5体积％，特别优选2.9±0.1体积％的结晶SiO2，尤其是方英石的平均含量。 9. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚度达20mm的成型体外层，在厚度上具有2.3体积％-5.5体积％，优选3.0体积％-5.5体积％，特别优选3.5体积％-4.5体积％，特别优选3.75±0.1体积％的结晶SiO2，尤其是方英石的平均含量。 10. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚度达10mm的成型体外层，在厚度上具有2.3体积％-6.5体积％，优选3.5体积％-6.5体积％，特别优选4体积％-5.3体积％，特别优选4.6±0.1体积％的结晶SiO2，尤其是方英石的平均含量。 11. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚度达5mm的成型体外层，在厚度上具有2.3体积％-7.5体积％，优选4.0体积％-7.5体积％，特别优选4.5体积％-6.5体积％，特别优选5.1±0.1体积％的结晶SiO2，尤其是方英石的平均含量。 12. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚度达2mm的成型体外层，在厚度上具有2.3体积％-8.0体积％，优选4.3体积％-8.0体积％，特别优选4.8体积％-6.8体积％，最优选5.3±0.1体积％的结晶SiO2，尤其是方英石的平均含量。 13. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚度达1mm的成型体外层，在厚度上具有2.5体积％-8.5体积％，优选4.5体积％-8体积％，特别优选5体积％-6.3体积％，最优选5.4±0.1