第九章 静电场中导体与电介质.pptVIP

第九章 静电场中的导体和电介质; ; 从物质电结构理论的观点来看，任何物体都亦可能带电。按导电性能的不同，物体可分为三类： 1.导体 存在大量的可自由移动的电荷 (conductor) 2.绝缘体 理论上认为无自由移动的电荷 也称 电介质 ( dielectric ) 3.半导体 介于上述两者之间 (semiconductor ) 本章将讨论静电场与场中导体和电介质的相互作用和相互影响.; 如图, 从物质的电结构看, 金属导体具有带负电的自由电子和带正电的晶体点阵组成. 当导体不带电也不受外电场的作用时, 只有微观的热运动.; 静电感应(electrostatic induction)：在外电场作用下,导体内自由电子将在电场力作用下作宏观定向运动并引起电荷的重新分布.;+;静电平衡条件; 1. 带电导体在静电平衡时, 电荷只分布在导体的表面上.;; 尖端放电 (discharge at sharp point);(1) 腔内无带电体;(2) 腔内有带电体; 2.静电屏蔽(electrostatic shielding);函惭琶它助扒付肥痕楞狄芦予遏喻汇百顽琅孝渤矣盗纸韦塘罗跺所申鸽长第九章 静电场中导体与电介质第九章 静电场中导体与电介质;防静电屏蔽袋;例1 有一外半径R1、内半径R2的金属球壳B, 其中放一半径为R3的金属球A，球壳B和球A均带有电量为q的正电荷. 问：(1) 两球电荷分布. (2) 球心的电势. (3) 球壳电势.;(3) 同理,球壳电势为:;无极分子电介质：（氢、甲烷、石蜡等）;电介质极化: 在外电场的作用下,介质表面产生电荷的现象.;:分子电矩; 设在均匀电介质中截取一斜柱体，体积为dV。;+ + + + + + ;真空中的高斯定理：;定义电位移矢量(electric displacement vector)：;对于各向同性的电介质：; 利用对称性, 根据介质中的高斯定理计算出电位移矢量, 再通过性质方程, 便可求出场强.;解: 取如图同轴圆柱形闭合高斯面,由有电介质时的高斯定理,可得:;例2. 如图, 自由电荷面密度为± 的无限大金属平板A,B间充满两层各向同性的电介质, 电介质的界面与带电平板平行, 相对介电常数分别为 和 , 厚度各为 和 , 求(1)各介质层中的场强; (2)A, B间的电势差.;同理作高斯面 ,可得介质2中:;1. 孤立导体(isolated inductor)的电容(capacitance);2. 电容器(capacitor);电容器电容的计算步骤：;+ + + +++;球形电容器是由半径分别为　 和　 的两个同心金属球壳所组成．两球壳间充满电容率为 的电介质. 内球壳均匀带正电 , 外球壳内外表面均匀分布感应电荷 和 .外球壳接地. 由高斯定理, 得: ;1) 电容器的串联;带电过程: 正负电荷分离? 外力克服电场力作功 转化为静电能 储存在电场中 ;用类似方法可以得出n个点电荷系统的电能：;2) 电容器的能量;物理意义　电场是一种物质，它具有能量.;例1. 半径为R=10cm 的金属球, 带有电荷为q=1.0×10 -5C, 位于εr =2 的无限大均匀电介质中, 求这带电球体的电场能量.;解法二:由孤立导体球的电容表达式可知;(2) 当极板间距由d变为2d , 相应的电容为