陶瓷电容和钽质电容和电解电容简介.pptVIP

陶瓷電容與鉭質電容及電解電容簡介;;;3.电容的分类与符号;电容器的单位是法拉(F),常用单位还有微法(μF)、 纳法(nF)和皮法(pF),换算:1F=106μF=109 nF=1012 pF;电容器的参数;1.定义:片式多层瓷介电容器(MLCC)---简称片式电容器,是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。;2.1 尺寸;结构主要包括三大部分:陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。而多层片式陶瓷电容器它是一个多层叠合的结构，是由多个简单平行板电容器的并联体。;内部構造;電極材質; 陶瓷是一个绝缘体，而作为电容器介质用的陶瓷除了具有绝缘特性外，还有一个很重要的特性：就是极化。即它在外加电场的作用下，正负电荷会偏离原有的位置，从而表现出正负两个极性。绝缘体的极化特性我们一般用介电常数ε来表示，即介质的K值。;5.瓷介的分类;6.瓷介代号;7.电气特性;MLCC介質厚度和層數的發展;MLCC介質常數k與溫度穩定性; 由圖可知,EIA Ι類順電材料介質COG(NPO),它的介質常數k几乎不隨溫度變動,EIA Ι Ι類鉄電材料介質X7R的介質常數變動不大,  EIA Ι Ι Ι類鉄電材料介質Z5U,Y5V,溫度越高,介質常數K變小.;影響電介常數k的因素;MLCC 制造流程;影響電容量的因素:片式电容器的电容量除了由它本身的设计与材料特性所决定外，在很大程度下同它的测试条件、温度、电压和频率有很大的关系。;電容量與溫度的關係:温度是影响电容器电容量的一个重要因素，我们把电容量同温度的这种关系特性叫做电容器的温度特性(Temperature Coefficient)。对于较为稳定的Ⅰ类电容器，其影响相对较小，几乎没有变化;对于Ⅱ类电容器，其影响相对较大。;;电容量与交流电压的关系:Ⅰ类电容器的交流特性比较好，基本不随施加电压的变化而变化。但是，对于Ⅱ类电容器，其容量基本是随所加电压的升高而加速递升的，特别X7R此特性比较明显。;电容量与工作频率的关系:对于Ⅰ类电容器其应用频率的增加，它的容值不会有什么变化，但对于Ⅱ类电容器，容值下降较为明显。;频率响应(串联谐振);频率响应(并联谐振)：;7-2.绝缘電阻(IR);7-3.损耗(DF);介质损耗同温度的关系:;介质损耗同交流电压/密尔厚度的关系:;介质损耗同频率的关系;7-4.等效串联电阻ESR： ;MLCC等效電路;ESR對電路的影響;交流領域下之電容器等效電路如右圖；其中串聯等效電阻(RS)，將會隨不同頻率而有所改變。各頻率點之等效串聯電阻(ESR)如右曲線圖所示。 ESR越高，通過電流所消耗功率亦越高，元件越容易發熱。 隨著疊層層數增加,容值亦增加ESR隨著並聯而下降。 MLCC相同設計下，容值越高，ESR越低，Ripple Current特性越好。;7-5.品质因素(Q);7-6.耐电压(DWV);8.應用;三、鉭質電容;3.各种類型的鉭電容結構;2)有機聚合体鉭電容(KO);3)鋁有機聚合体鉭電容(AO);鉭電容的制造流程;2)焊接陽極;4.各類型鉭電容特性;4.鉭質電容的基本電氣參數;5.溫度及頻率特性;溫度對容量的影響:溫度升高,Cp值增大;溫度對漏電流的影響:溫度升高,LC值增大;5.2頻率對參數的影響;頻率對ESR的影響:頻率升高,ESR值減小;頻率對損失因素的影響:頻率升高,DF值會增大;6.貼片鉭質電容使用注意事項;脈沖電流 不要提供超過規格最大值的脈沖電流 產品在長時間放置之后,在使用之前一定要確認是 否有反常現象;四.鋁電解電容Aluminum CAP;3.等效線路;4.固態鋁電解電容;2)鋁聚合體電解電容結構;5.鋁電解電容的特性;6.電解電容的基本電氣參數 :;5.6 ESR(Equivalent Series Resistance)等效串聯阻抗 對非理想電容,其內部電極與端電極之間存在的電阻值,它表 示轉化成熱能的損失量。 ESR=DF/2πfc 5.7 DS(Dielectric Strength)耐電壓 電容的選擇,其耐電壓應大於電路所要求的電壓。 注意:但對電解電容而言,高耐電壓值的電容用於低電壓電路 中,額定電容量會減少。如一個5V電源電路中用50V額定電壓 的電容,其電容量約減少一半。 5.8 SV(Surge Voltage)浪涌電壓 給其加的一個沖擊電壓(一般為1.3倍RV,充放電1000個循環);7.溫度及頻率特性:;溫度對容量的影響:溫度升高,Cp值增大;溫度對ESR的影響:溫度升高,ESR值減小;溫度對漏電流的影響