最新2018年mems工艺.pptVIP

* 1、同步辐射光曝光（吸收结构、薄膜、光阻掩版、光阻、基板） 2、显影（光阻结构） 3、电铸（金属、光阻结构、导基板） 4、模仁（模穴） 5、填模料（塑胶模、复合模型） 6、脱模成形（塑胶结构） * 利用LIGA技术配合分离层技术还可以制造可动微结构。如图，在典型LIGA工艺电铸完成之后，进行有选择性的刻蚀，如利用与光刻胶附着性较好的金属钛作为分离层，在刻蚀后再将金属钛层牺牲掉，形成可动空间 * LIGA技术虽然具有突出的优点，但是它的工艺步骤比较复杂，成本费用昂贵。为了获得Ｘ光源，需要复杂而又昂贵的同步加速器。相对于LIGA加工技术而言，激光微机械加工技术具有工艺简单、成本低等优点，它代表未来MEMS加工技术发展的方向。 * 深等离子体刻蚀技术 深等离子刻蚀一般是选用硅作为刻蚀微结构的加工对象，也即高深宽比硅刻蚀（HARSE），它有别于VLSI中的硅刻蚀，因此又称为先进硅刻蚀（ASE）工艺。该技术采用感应耦合等离子体（ICP）源系统，与传统的反应离子刻蚀（RIE），电子回旋共振（ECR）等刻蚀技术相比，有更大的各向异性刻蚀选择比和更高的刻蚀速率，且系统结构简单，使高密度硅离子刻蚀技术真正发展成了一项实用的刻蚀技术。这一技术的最大优越性是只采用氟基气体作为刻蚀气体和侧壁钝化用聚合物生成气体，从根本上解决了系统腐蚀和工艺尾气的污染问题。这一技术的关键是采用了刻蚀与聚合物淀积分别进