电容工作原理与基本类型.docVIP

电容的工作原理 一、基本原理 HYPERLINK javascript:; \t _self 电容器的基本原理可以用图1-1来描述 当在两个正对的金属电极上施加电压时，电荷将据电压的大小被储存起来 基本公式： Q=C*V W=1/2* C*V^2； di=C*dv/dt； C[F]=ε0·ε·S/t ?Q:电量( C )V:电压(V )C:电容量(F) S：电极面积[m2] t：介质厚度[m] ε：相对介电常数 ε0:介质在真空状态下的介电常数(=8.85x10-12 F/M) 铝氧化膜的相对介电常数为7~8，要想获得更大的电容，可以通过增加表面积S或者减少其厚度t来获得。表1-1列出了电容器中常用的几种典型的介质的相对介电常数，在很多情况下，电容器的命名通常是根据介质所使用的材料来决定的，例如：铝电解电容器、钽电容器等。 介质 相对介电常数 介质 相对介电常数 铝氧化膜 7 ~ 8 陶瓷 10~120 薄膜树脂 3.2 聚苯乙烯 2.5 云母 6 ~ 8 钽氧化膜 10 ~20 二、常见电容类型一般根据电极、电介质材料来分有如下： 1、铝电解电容极性电容，它的正极、负极、电介质是什么呢？经常有人会混淆，其实分别是正极铝箔、三氧化二铝（附在正极铝箔的一面）、电解液（通过负极铝箔做引脚搭接）2、钽电解电容极性电容，正极、负极、电介质分别是：钽丝、二氧化锰MnO2（石墨、银层做引脚搭接）、五氧化二钽Ta2O5（在制造过程中形成）3、片状多层陶瓷电容（MLCC）无极性；贴片式；多层层叠；正负极为金属电极、电介质是陶瓷材料 4、引线式多层陶瓷电容（独石电容） 无极性；插脚式；是用MLCC电容焊接两个引脚，然后把芯用包封材料制造而成；CC41、CT41就属于这类5、圆形陶瓷电容（瓷介电容）无极性；单层；正负极为金属电极、电介质是陶瓷材料；个头比较大，一般为高压电容；CC81、CT81就属于这类6、薄膜电容无极性；多层层叠或卷绕；正负极为金属电极、电介质是有机薄膜材料；比如：聚乙烯、聚脂等7、安规电容实际上符合各国安规标准的圆形陶瓷电容或薄膜电容；常见的，Y1、Y2为圆形陶瓷电容；X1、X2为薄膜电容。 总之：依据C[F]= ε0·ε·S/t；以及实际制造中电容的正、负极、电介质材料 HYPERLINK javascript:; \t _self 选型和根据材料特点选择的制造工艺可以得知：1、容量大的电容必须增加S，故个头大。耐压高的电容必须增加t，故一般较厚。2、铝电解、钽电容相对来说S大，故容量可以做到很大。3、MLCC电容的容量、耐压一般不大。 4、圆形陶瓷电容容值不大，但耐压可以做到很大。5、薄膜电容容值不大，但耐压较高。根据应用场合和作用可分： 1、旁路电容故名思义，是给交流信号提供一个对地的低阻抗通路。也可以称做滤波电容。2、藕合电容 隔直流通交流，传递交流信号。根据di=C*dv/dt；不难理解。直流信号dv/dt=0，故无电流流过电容。3、退（去）藕电容在驱动电路中，如果负载变化很大，会对供应源产生电压或电流冲击，加退（去）藕电容就起缓冲作用。比如：IC的VCC，IC内部电子管的开、关高速动作引起VCC变化，如果有退（去）藕电容的话，其VCC变化不会延伸到供应VCC的电源端口。4、储能电容：根据W=1/2* C*V^2；不难理解电容的容量越大；工作电压越大储存的能量越大。 比如在RTC时钟电路的备电中，通过一个大容量的电容在工作时贮存电能，在掉电时，这个电容就释放电能起到很好的备电作用。 电容是板卡设计中必用的元件，其品质的好坏已经成为我们判断板卡质量的一个很重要的方面。 ①电容的功能和表示方法。 由两个金属极，中间夹有绝缘介质构成。电容的特性主要是隔直流通交流，因此多用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐。电容在电路中用“C”加数字表示，比如C8，表示在电路中编号为8的电容。 ②电容的分类。 电容按介质不同分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容电解电容。按极性分为：有极性电容和无极性电容。按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。 ③电容的容量。 电容容量表示能贮存电能的大小。电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，容抗与交流信号的频率和电容量有关，容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)。 ④电容的容量单位和耐压。 电容的基本单位是F（法），其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。由于单位F 的容量太大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位。换算关系：1F＝1000000μF，1μF=1000nF=1000000pF。