场效应管和其放大电路.docVIP

场效应管及其放大电路 在学完三极管基本放大电路后，为进一步提高放大电路的输入电阻，适应多极放大电路的要求，学习以场效应管组成的放大电路是十分必要的。本章主要介绍场效应管组成的两种放大电路：共源极放大电路和共漏极放大电路。 本章主要内容： HYPERLINK /md/md/jiaoan/chap-4.htm \l item41#item41 4.1 场效应管 HYPERLINK /md/md/jiaoan/chap-4.htm \l item42#item42 4.2 共源极放大电路 HYPERLINK /md/md/jiaoan/chap-4.htm \l item43#item43 4.3 共漏极放大电路（源极输出器） HYPERLINK /md/md/jiaoan/chap-4.htm \l itemend#itemend 本章小结 重点： 场效应管的工作原理，场效应管放大电路的组成与性能分析。 难点： 场效应管放大电路的分析方法。 HYPERLINK /md/md/jiaoan/index.htm 返回目录 4.1 场效应管 授课思路： 场效应管有哪些类型，结构是什么样的→为什么称作为场效应管？→场效应管是通过什么方式来控制漏集电流？→与三极管相比较，它又什么特点？ 场效应管是一种利用输入电压控制输出电流大小的新型半导体器件，分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管两大类。 4.1.1 结型场效应管 1.结型场效应管的结构和符号 结型场效应管是利用半导体内的电场效应工作的，分N沟道和P沟道两种。在一块N型半导体的两侧分别扩散出两个P型区，形成两个PN结，将两个P型区连接后形成一个电极G称为栅极，从N型半导体的上下两端各引出一个电极，其中S称为源极，D称为漏极，由于D、S间存在电流通道，故称为N沟道结型场效应管。P沟道结型场效应管的结构与N沟道型类似，它们的结构和电路符号如图4.1所示。 2.工作原理 我们以N沟道结型场效应管为例来说明。如图4.2所示。当在漏极D和源极S之间加上电源 E D 后，则在N型沟道中产生从漏极流向源极的电流 I D 。由PN结的特性可知，若在栅极G和源极S间加上负电压 E G ，PN结的宽度增加，且负电压越大，PN结就越宽，造成沟道变窄，沟道电阻变大，因此只要改变偏压 U GS 便可控制漏极电流 I D 的大小，场效应管的电压控制作用就体现于此。 当 E G 增大超过 U P （预夹断电压），沟道变窄到几乎消失，此时我们称发生了夹断。其大小受这样沿着沟道方向产生一个连续的电压降落，因此沟道各点与栅极G之间的电位差也不相等， E D =0， 通常结型场效应管的栅、源极之间总是处于反向偏置状态，因此其输入电阻很高，可达 10 6 ~ 10 8 Ω。 3．结型场效应管的特性曲线 （1）转移特性曲线 转移特性曲线是在一定的漏-源电压 U DS 下，栅-源电压 U GS 与漏极电流 I D 之间的关系。当 U GS =－1V时，此时的 I D 称为饱和漏极电流 I DSS ，使 I D 接近于零的栅极电压称为夹断电压 U P 。如图4.3所示。 实验表明，在 U P ≤ U GS ≤0的范围内（对应于输出特性曲线中的恒流区）， I D 和 U GS 满足如下的平方关系 I D = I DSS ( 1? U GS U P ) 2 （当 U P ≤ U GS ≤0） 其中 I DSS 为饱和漏极电流。 （2）输出特性曲线 也称为漏极特性曲线，它是在 U GS 一定时， U DS 和 I D 之间的关系曲线。可分为三个区域：可变电阻区A、恒流区B和击穿区C，如图4.4所示。 可变电阻区是因为在 U DS | U P | 的区域， I D 随 U DS 线性变化，而且其电阻随UGS增大而减小，呈现出可变电阻特性。 恒流区中，当 U DS 进一步增大时， I D 基本不随 U DS 的变化而变化，只受 U GS 的控制而呈线性变化，即图4.4中的B区，这也是场效应管在模拟电子电路中的主要工作区域。我们把 U DS 一定时，漏极电流变化量Δ I D 与栅-源极电压变化量Δ U GS 之比称为场效应管的跨导，用 g m 表示。 g m = Δ I D Δ U GS g m 的单位是西门子（S），它反映了 U GS 对 I D 的控制能力。 当继续增大时，由于反向偏置的PN结发生了击穿现象，突然上升。一旦管子进入击穿区，如不加限制将导致损坏。 4.1.2 绝缘栅型场效应管 虽然结型场效应管的输入电阻可达 10 8 Ω，但由于PN结反向偏置时的反向电流存在，限制了输入电阻的进一步提高，而采用绝缘栅型场效应管后输入电阻可达 10 15 Ω。绝缘栅型场效应管可分为增强型和耗尽型两类， 1. N沟道增强型绝缘栅型场效应管