半导体极管及其应用.pptVIP

第1章 半导体二极管及其应用 1.1 PN结 1.2 半导体二极管 1.3半导体二极管电路的分析方法 1.4半导体二极管的基本应用 1.5 特殊二极管 习题 漂移和扩散 1、电子或空穴在电场的作用下定向移动称为漂移 如图（A）所示。 2、载流子由浓度高流向浓度低的的运动为扩散。图（B）所示 PN结形成 半导体PN结共价键中的电子在光子的轰击下。很容易脱离共价键而成为自由电子。因此可以用PN结构成光敏二极管。光敏二极管的反向电流与光照度成正比。用感光灵敏度来衡量。典型值为：0.1μA/Lx 1、材料和结构：发光二极管由砷化镓、磷化镓等半导体材料组成。由于电子空穴的复合产生发光能量。是一种电变成光的能量转换器件。电路中常用做指示或显示及光信息传送。 2、发光二极管的主要特性 4.小信号模型 二极管小信号模型如图XX_01所示。如果二极管在它的V-I特性的某一小范围工作，例如在静态工作点Q（即V-I特性上的一个点，此时vD=VD，iD=ID）附近工作，则可把V-I特性看成为一条直线，其斜率的倒数就是所要求的小信号模型的微变电阻rd。 参看图XX_01a，微变电阻rd可直接从V-I特性上求得。通过Q点作一条V-I特性的切线，并形成一直角三角形，从而得到DvD和DiD，则 rd=DvD/DiD rd的数值还可从二极管的V-I特性表达式导出。 取iD对vD的微分，可得微变电导 (当T=300K时) 由此可得 1.4.2模型分析法应用举例 1.二极管电路的静态工作情况分析 例1 设简单二极管基本电路如a所示，R=10kW，图b是它的习惯画法。对于下列两种情况，求电路的ID和VD的值：（1）VDD=10V；（2）VDD=1V。在每种情况下，应用理想模型、恒压降模型和折线模型求解。 解：图a的电路中，虚线左边为线性部分，右边为非线性部分。符号“⊥”为参考电位点，或叫“地”，即电路的共同端点。电路中任一点的电位，都是对此共同端而言的，这在第1章中已介绍过。为了简单起见，图a所示的电路常采用图b所示的习惯画法，今后经常用到。现按题意，分别求解如下： （1）VDD=10V ① 使用理想模型得 VD=0V，ID=VDD/R=10V/10kW=1mA ② 使用恒压降模型得：VD=0.7V， (2) VDD=1V ① 使用理想模型得：VD=0V， ID= VDD/R=0.1mA ② 使用恒压降模型得：VD=0.7V， ID= （VDD－0.7）/R=0.03mA ③ 使用折线模型得 ID=0.049mA，VD=0.51V 2.二极管电路的限幅电路 3.二极管开关电路 一二极管开关电路如图LT_01所示。当vI1和vI2为0V或5V时，求vI1和vI2的值不同组合情况下，输出电压vO的值。设二极管是理想的。 1.5 特殊二极管 2.5.1、稳压二极管 应用在反向击穿区 （雪崩击穿和齐纳击穿） （一）符号、伏安特性 和典型应用电路 (a) (a)符号 1、 利用PN结反向击穿的特性，可以制成稳压二极管。 I（mA) 正向电流If U（V） 正向 0.6 反向击穿电压 UZ 正向导通电压 UD 0 击穿电流IR PN结V-A特性 曲线 I U + UZ 电路符号 (c)应用电路 (b) (b) 伏安特性 1）、稳定电压UZ：稳压管击穿后电流变化很大。而电压基本不变的电压。不同的稳压管有不同的稳定电压。 2）、动态电阻rz 3）、最大稳定电流 IZM，由最大耗散功率和稳定电压决定。 4）、最大耗散功率 PZM，工作时的功率PZ=IZ?UZ 5）、温度系数；衡量由于温度变化而使稳定电压UZ变化的参数。 一般UZ大于6伏的为正温度系数。小于6伏为负温度系数 （二）主要参数 UO R + - -10 -8 -6 -4 -2 0 Ip/μA -50 200Lx 400LX 光照伏安特性 1.5.3、光电子器件 1、光电二极管 单个发光 二极管 七段显示发光二极管 2、发光二极管（LED）　 第1章 半导体二极管及其基本应用 1.1 PN结 一、半导体定义 特点:导电能力可控（受控于光、热、杂质等） 典型半导体材料:硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.1 本征(intrinsic)半导体 ——纯净无掺杂的半导体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 (1) 共价键结构 (2) 电子空穴对 (3) 空穴的移动 (1）共价键结构 空间排列有序的晶体 以 硅原子(Si)为例： (a) 硅晶体的空间排列 (b) 共价键结构平面示意图 电子空穴对：载流子（