铜互连线低压无磨料化学机械平坦化技术.pdfVIP

第41卷 第4期 稀有金属材料与工程 Vbl．41．No．4 2012生 RAREMETAL～L锄RIAI，SANDENGINEERING 2012 4月 April 铜互连线低压无磨料化学机械平坦化技术 刘效岩1，刘玉岭1，梁艳2，胡轶1，刘海晓1，李晖1 (1．河北工业大学，天津300130) (2．河北化工医药职业技术学院，河北石家庄050026) 摘要：在低压无磨科条件下，利用碱性FA／O型螯合剂具有极强螫合能力的特性，对铜互连线进行化学机械平坦化， 获得了高抛光速率和表面一致性。提出了铜表面低压无磨料抛光技术的平坦化原理，在分析了抛光液化学组分与铜化学 反应机理的基础上，对抛光液中的主要成分FA／O型螯合剂、氧化剂的配比和抛光工艺参数压力、抛光机转速进行了研 究。结果表明：在压力为6．34kPa和抛光机转速为60r／rain时，抛光液中添加5％螯合剂与1％氧化剂(体积分数，下同)， 抛光速率为1825nm／min，表面非均匀性为0．15。 关键词：铜互连线；无磨料；低匿；FA／O型螫合剂：化学机械平坦化 中图法分类号：TGl75 文献标识码：A 文章编号：1002-185X(2012)04．0717-05 传统集成电路制造工艺主要采用铝作为金属互 与、不产生划痕；同时对抛光材料具有选择性；不需 连材料，但是随着晶体管越来越小，采用铝线制造的 要复杂的CMP后清洗技术。此技术最重要的是抛光 器件开始在可靠性方面出现问题[1丑】。选用电阻率较 液的选择，抛光液的性能直接影响材料去除率和抛光 小的金属作为互连材料，并选用介电常数小的介电材 后表面的品质。抛光液中化学试剂对抛光过程有着重 料是降低信号延时、提高时钟频率的两个主要方向。 要影响。本研究提出了低压无磨料抛光技术的平坦化 原理，在分析抛光液化学组分的化学反应机理的基础 由于铜的电阻率仅为1．67“Q·cm，远小于铝的2．66 肛Q·cm，如果配合采用低K介电材料，可以降低信号上，研究抛光液组分及工艺，获得高抛光速率和表面 线之间的耦合电容，信号的转换速度也随之加快，可 一致性。 有效降低信号的延时，因此铜互连工艺应运而生口。J。 1 低压无磨料抛光机理分析 Cu瓦连结构中包含多孔、易碎、低介电常数的材料， 要保证低K介质的完整性，抛光压力必须减小到6．89 1．1 低压无磨料化学机械平坦化原理 kPa以下，目前所使用的化学机械抛光(CMP)技术铜互连线低压无磨料平坦化技术主要应用抛光 6’”，CMP的 液中化学组分的作用使铜表面凸处的抛光速率大于 需要在较高的压力(13．78kPa)T进彳Tt 发展趋势是研磨速率越来越快。如何兼顾压力的降低 凹处的抛光速率，解决铜表面凹凸选择性问题，从而 和研磨速率的提高成为关键问题[8]。此外，如何控制 实现抛光后表面平坦化的效果。抛光过程中的机械作 划伤、磨料残留、颗粒等也是研究的重中之重。为了 用主要体现在：(1)提供化学试剂与铜反应所需克服 反应势垒的能量；(21加快抛光液和反应产物的质量 降低压力，业界提出了电化学机械抛光(ECMP)p’10]， 但其存在很多基本问题，如量产重复性、稳定性和制 输送。 造成本等；而传统的CMP工艺，有磨料参与易产生 图1为抛光片表面形貌示意图。据图1假设抛光 划痕，同时磨料残留为抛光后的清洗带来困难；因此， 片表面凸处的抛光速率为％，凹