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电 力 电 子 技 术 Power Electronic Technology 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 主电路（Main Power Circuit）—电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路。 电力电子器件（Power Electronic Device）—可直接用于处理电能的主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 按照器件能够被控制电路信号所控制的程度，分为以下三类： 2.1.3 电力电子器件的分类 按照驱动电路加在器件控制端和公共端之间信号的性质，分为两类： 电流驱动型(Current Driving Type)——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制 电压驱动型(Voltage Driving Type)——仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制 电压驱动型器件实际上是通过加在控制端上的电压在器件的两个主电路端子之间产生可控的电场来改变流过器件的电流大小和通断状态，所以又称为场控器件(Field Controlled Device)，或场效应器件 2.1.3 电力电子器件的分类 按照器件内部电子和空穴两种带电粒子参与导电的情况分为三类： 单极型器件(Unipolar Device)——由一种带电粒子参与导电的器件 双极型器件(Bipolar Device)——由电子和空穴两种带电粒子参与导电的器件 复合型器件(Complex Device)——由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件 电力电子器件的发展史 电力电子器件基础_PN结原理 完全纯净的、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。在常温下，本征半导体可以激发出少量的自由电子，并出现相应数量的空穴，这两种不同极性的带电粒子统称为载流子。 电力电子器件基础_PN结原理 在PN结上外加电压称为对PN结的偏置，P区加正、N区加负为正偏置，反之为反偏置。 当PN结正向偏置时，外加电场与PN结的内电场方向相反，内电场被削弱，载流子的漂移运动受到抑制，而扩散运动增强，在外电路上则形成自P区流入而从N区流出的电流，称为正向电流。 当PN结反向偏置时，外加电场与PN结内电场方向相同，少子的漂移运动大于多子的扩散运动,形成反向电流，但由于受少数载流子浓度低的限制，反向电流很小。 电力电子器件基础_PN结原理 PN结具有一定的反向耐压能力，但如果反向电压过大，达到反向击穿电压时，反向电流会急剧增加，破坏PN结反向偏置为截止的工作状态，这种状态称为反向击穿，反向击穿有可能造成PN结损坏。 PN结反向击穿有三种形式：雪崩击穿、齐纳击穿（隧道击穿）和热击穿。 电力电子器件基础_PN结原理 PN结的电容效应： PN结的单向导电性使其对交流电有整流作用，但这种作用只在交变电压频率不太高时才能发挥作用，在电压频率增高时就不能很好发挥作用，其原因就是PN结的电容。 PN结的电荷量随外加电压而变化，呈现电容效应，称为结电容(Junction Capacitance)CJ，又称为微分电容(Incremental Capacitance)。结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容(Barrier Capacitance)CB和扩散电容(Diffuse Capacitance)CD。 电力电子器件基础_PN结原理 1）势垒电容 由于PN结的空间电荷区无可动电荷，犹如一层绝缘介质，与将其夹在中间的P区和N区一起，构成为一个电容器。由于空间电荷区是载流子的势垒区，所以该电容称为势垒电容。 电容的基本功能是充放电，势垒电容的充放电是通过PN结空间电荷的变化来进行的。当PN结处于正向偏置状态，且正向电压升高时，N区和P区的多数载流子便进入空间电荷区并与其中部分相反极性的空间电荷中和，就如把这些载流子存放在空间电荷区一样，这种现象称为载流子的存储效应。存储电荷随正偏压的增加而增加，相当于向势垒电容充电。当外加电压降低或偏压改变极性，则会有一部分载流子离开空间电荷区，相当于势垒电容放电。势垒电容只在外加电压变化时才起作用，外加电压频率越高，势垒电容的作用越明显。 电力电子器件基础_PN结原理 2）扩散电容 当PN结处于正向偏置时，大量空穴由P区进入N区，电子由N区进入P区，这部分载流子在进行中和的同时，作为其中的少数载流子根据浓度梯度向纵深扩散，与空间电荷区接近的地方少数载流子浓度偏高