第3讲习题选解.pdfVIP

电子技术基础（模拟部分）5版 康华光 3.2.1 在室温（300K）情况下，若二极管的反向饱和电流为1nA，问它的正向电流为0.5m vD n V A时应加多大的电压？设二极管的指数模型为i  I (e T 1) ，其中n=1 ，V =26 D S T mV 。 vD n V 解：将已知参数代入二极管指数模型iD  I S (e T 1) 得 vD 0.5 103 A  1109 A(e10.026V 1) v  0.34V D 3.4.2 电路如图题3.4.2所示，电源v 为正弦波电压，试绘出负载R 两端的电压波形，设 s L 二极管是理想的。 图题3.4.2 图解3.4.2 解：由于二极管是理想的，所以无正向导通压降。根据二极管的单向导电性，v 0 s 时，D 、D 导通，v =v ；v 0时，D 、D 导通，v = -v 。故v 波形如图解3.4.2所示。 2 4 L s s 1 3 L s L 3.4.3 电路如图题3.4.3所示。（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的ID和 V 的值（V ＝0.7V）；（2）在室温（300K）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o D o 的变化范围。 电子技术基础（模拟部分）5版 康华光 图题3.4.3 图解3.4.3 解：（1）求二极管的电流和电压 V  2v (10  2 0.7)V 3 I  DD D   8.6 10 A  8.6mA D 3 R 110  V  2V  2 0.7V  1.4V O D （2）求v 的变化范围 o 图题3.4.3的小信号模型等效电路如图解3.4.3所示，温度T ＝300 K。 V 26m V r  T 